據韓媒報道,三星電子先進封裝(AVP)事業組正著手新一代DRAM技術「Cache DRAM」,目標2025年開始量產。據悉,該項技術與既有HBM相比,Cache DRAM功耗效率將改善60%,資料移動延遲將減少50%。
在封裝技術上,Cache DRAM與HBM也有較大區別,HBM目前是水平連接至GPU,但Cache DRAM將垂直連接于GPU。傳言,Cache DRAM只須一個芯片就能儲存一個HBM的資料量。
值得觀察的是,三星為發展先進封裝技術,不僅一年內投資超過2兆韓元增設封裝產線,2023年也新設AVP事業組,盼能加速追趕臺積電等競爭對手。
相關人士認為,隨著實現先進制程愈來愈困難,3D封裝將成為半導體業者競爭力關鍵,而三星若要2030年實現系統半導體第一目標,勢必得投資封裝技術。
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