據(jù)韓媒報道，三星電子先進封裝（AVP）事業(yè)組正著手新一代DRAM技術(shù)「Cache DRAM」，目標2025年開始量產(chǎn)。據(jù)悉，該項技術(shù)與既有HBM相比，Cache DRAM功耗效率將改善60%，資料移動延遲將減少50%。7hu28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

在封裝技術(shù)上，Cache DRAM與HBM也有較大區(qū)別，HBM目前是水平連接至GPU，但Cache DRAM將垂直連接于GPU。傳言，Cache DRAM只須一個芯片就能儲存一個HBM的資料量。7hu28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

值得觀察的是，三星為發(fā)展先進封裝技術(shù)，不僅一年內(nèi)投資超過2兆韓元增設(shè)封裝產(chǎn)線，2023年也新設(shè)AVP事業(yè)組，盼能加速追趕臺積電等競爭對手。7hu28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

相關(guān)人士認為，隨著實現(xiàn)先進制程愈來愈困難，3D封裝將成為半導體業(yè)者競爭力關(guān)鍵，而三星若要2030年實現(xiàn)系統(tǒng)半導體第一目標，勢必得投資封裝技術(shù)。7hu28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com