Golang 中的 io 包詳解：組合接口
io.ReadWriter// ReadWriter is the interface that groups the basic Read and Write methods.type ReadWriter interface { Reader Writer}是對Reader和Writer接口的組合，
作為半導體存儲器最大細分領域，DRAM的發展迭代一直是市場焦點。在存儲器逆風之下，原廠仍然在持續發力技術研發，近期三星傳來佳音。與此同時，由于需求持續低迷，存儲器供給與需求仍是市場關注焦點，近期業界機構TrendForce集邦咨詢也對2023年以及2024年存儲器市場給出了預測。
2023年9月1日，三星電子宣布該公司已采用12納米（nm）級工藝技術，開發出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM，在相同封裝尺寸下，容量是16Gb內存模組的兩倍，并計劃于今年年底開始量產。
據三星介紹，通過使用最新開發的32Gb內存顆粒，即使不使用硅通孔（TSV）工藝也能夠生產128GB內存模組，該產品與使用16Gb內存封裝的128GB內存模組相比，功耗降低了約10%。這一技術突破使該產品成為數據中心等關注能效的企業的優選解決方案。
1983年，三星開發出首款64 Kb DRAM，在過去40年里，該公司已成功將其DRAM容量提高了50萬倍。三星表示，公司計劃以12納米級32Gb DDR5 DRAM為基礎，繼續擴充大容量DRAM產品陣容，以滿足高性能計算和IT行業持續增長的需求。
三星強調，通過向數據中心以及需要人工智能和下一代計算等應用的客戶提供12納米級32Gb DRAM，公司希望鞏固其在下一代內存市場的前沿地位。未來，該產品還將在公司與其他主要行業參與者的長期合作中發揮重要作用。
三星電子存儲器事業部內存開發組執行副總裁SangJoon Hwang表示：在三星最新推出的12納米級32Gb內存的基礎上，三星可以研發出實現1TB內存模組的解決方案，這有助于滿足人工智能和大數據時代對于大容量DRAM內存日益增長的需求。
2023年已過去一大半，半導體存儲器的復蘇問題仍是市場關注的焦點。據TrendForce集邦咨詢8月30日研究指出，預期2024年存儲器原廠對于DRAM與NAND Flash的減產策略仍將延續，尤其以虧損嚴重的NAND Flash更為明確。TrendForce集邦咨詢預估，在2024上半年消費性電子市場需求能見度仍不明朗，通用型服務器的資本支出仍受到AI服務器排擠而顯得相對需求疲弱，有鑒于2023年基期已低，加上部分存儲器產品價格已來到相對低點，預估DRAM及NAND Flash需求位元年成長率分別有13.0%及16.0%。
TrendForce集邦咨詢表示，不過，盡管需求位元有回升，明年若要有效去化庫存，并回到供需平衡狀態，重點還是仰賴供應商對于產能有所節制，若供應商產能控制得宜，存儲器均價則有機會反彈。
今年DRAM領域中HBM的逆勢增長給予了產業發展信心。隨著人工智能推動高性能GPU需求暴漲，提高HBM產品的滲透力，未來HBM的產能供給如何？
據TrendForce集邦咨詢8月9日最新報告指出，存儲器原廠在面臨英偉達以及其他云端服務業者（CSP）自研芯片的加單下，試圖通過加大TSV產線來擴增HBM產能。從目前各原廠規劃來看，預估2024年HBM供給位元量將年增105%。不過，考慮到TSV擴產加上機臺交期與測試所需的時間合計可能長達9~12個月，因此TrendForce集邦咨詢預估多數HBM產能要等到明年第二季才有望陸續開出。
集邦咨詢表示，觀察HBM供需變化，2022年HBM供給無虞，2023年受到AI需求突爆式增長導致客戶的預先加單，即便原廠擴大產能但仍無法完全滿足客戶需求。展望2024年，TrendForce集邦咨詢認為，基于各原廠積極擴產的策略，HBM供需比（Sufficiency Ratio）有望獲改善，預估將從2023年的-2.4%，轉為0.6%。
封面圖片來源：拍信網
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