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三星購買愛思強MOCVD設備用于氮化鎵、碳化硅生產

來源: 責編: 時間:2023-08-14 22:01:39 303觀看
導讀據電子時報報道,三星電子及其國內晶圓代工廠同行DB Hitek(東部高科)和Key Foundry(啟方半導體)將從德國Aixtron(愛思強)采購金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)設備,以進軍GaN(氮化鎵)和SiC(碳化硅)芯片制造服務市場。ZDNet Korea日前援引

據電子時報報道,三星電子及其國內晶圓代工廠同行DB Hitek(東部高科)和Key Foundry(啟方半導體)將從德國Aixtron(愛思強)采購金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)設備,以進軍GaN(氮化鎵)和SiC(碳化硅)芯片制造服務市場。oOO28資訊網——每日最新資訊28at.com


ZDNet Korea日前援引業內人士消息稱,愛思強CEO Felix Grawert于今年7月中旬低調訪問韓國,并與三大代工廠舉行會議,討論設備供應協議相關事宜。三者均計劃進軍GaN和SiC代工市場。其中,消息人士透露,三星已決定購買Aixtron最新的MOCVD設備,用于加工GaN和SiC晶圓,投資規模預計至少達到7000億-8000億韓元(5.4億-6.2億美元)。oOO28資訊網——每日最新資訊28at.com


MOCVD設備是生產GaN芯片的核心設備之一。目前,只有少數公司在技術上有能力生產此類設備,其中愛思強是最大的供應商,占據全球市場75%的份額,其次是美國Veeco(維易科),份額為10%-15%。與傳統的硅半導體相比,GaN具有更高的耐高溫和耐電壓能力以及更高的能源效率。預計未來IT、通信和汽車應用領域的GaN需求將快速增長。oOO28資訊網——每日最新資訊28at.com


業內人士表示,三星、DB Hitek和Key Foundry預計在2025年至2026年將8英寸GaN代工服務商業化。他們現在正處于研究和樣品生產階段,只需要少量設備。然而,他們必須根據未來的量產計劃進行大量的設備投資。業內人士指出,2023年初,三星投資約1000億-2000億韓元購買8英寸GaN和SiC制造設備,但僅GaN生產的總投資預計將達到1萬億韓元的規模。oOO28資訊網——每日最新資訊28at.com


目前,GaN和SiC代工廠嚴重依賴愛思強設備的支持。盡管MOCVD機臺單價高達200億韓元,但韓國半導體代工廠仍在積極進行該領域的投資。oOO28資訊網——每日最新資訊28at.com


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