三星電子正全速推進Compute Express Link(CXL)內存技術的研發和量產,旨在在高帶寬內存(HBM)之后奪取市場領先地位。
據韓國媒體報道,根據韓國專利檢索系統KIPRIS的數據,三星于12月4日提交了四個商標申請,分別為三星CMM-D、三星CMM-DC、三星CMM-H和三星CMM-HC,這些商標將用于半導體存儲器件、集成電路和數據存儲器件。
CMM是CXL Memory Module的縮寫,這一規范是由國際半導體標準化組織JEDEC制定的。在三星內部,CXL通常被稱為CMM。
業界普遍認為,CXL是克服AI時代現有DRAM局限性的關鍵解決方案。在AI時代,數據處理需求呈指數級增長,而CXL作為連接中央處理單元(CPU)與存儲半導體的高級接口,尤其在大容量CXL DRAM方面,可使服務器內存容量增加8至10倍,實現對大量數據的快速處理。
市場研究機構Yole預測,到2028年,全球CXL市場規模將達到150億美元。
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