K60至尊版剛預熱 一加Ace2 Pro正面硬剛
Redmi這邊剛如火如荼的宣傳了K60 Ultra的各種技術和硬件配置，作為競品的一加也坐不住了。一加中國區總裁李杰發布了兩條微博，表示在自家的一加Ace2上早就已經采用了和PixelWo
寬禁帶半導體材料具有先天性能優勢，具有更寬更高的禁帶寬度、電場強度和更高的擊穿電壓。與傳統的硅基半導體材料相比，寬禁帶半導體材料具有更高的電子飽和遷移速率，開關頻率更高，熱傳導性更好，可以降低系統對散熱設備的要求，提高系統的能效和可靠性。
意法半導體在碳化硅和氮化鎵等寬禁帶半導體領域持續技術創新，為工業設備提供更長的使用壽命、更高的運行效率和更低的能耗，推動工業自動化向更綠色、更智能的方向發展。
ST第三代SiC MOSFET提供多種封裝可選，為設計者提供創新功能。相比傳統IGBT模塊，碳化硅模塊成本雖高，但隨著市場玩家增多，產能逐漸擴大，價格將會明顯下降，優勢更加明顯。ST也布局功率轉換GaN和射頻功率GaN技術，能與SiC技術互補，滿足客戶對功率器件的需求。
ST的GaN產品主要應用在高效、高功率密度開關電源上，細分市場包括服務器和通信電源、OBC和機電一體化平臺，以及能源生成、充電站和電力轉換。近期ST發布了PowerFLAT5×6封裝形式的產品，后續還將推出其他封裝形式，以及DirectGAN DSC。意法半導體的GaN器件將加速功率轉換系統向GaN寬帶隙技術過渡。
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