寬禁帶半導(dǎo)體材料具有先天性能優(yōu)勢(shì),具有更寬更高的禁帶寬度、電場(chǎng)強(qiáng)度和更高的擊穿電壓。與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體材料相比,寬禁帶半導(dǎo)體材料具有更高的電子飽和遷移速率,開(kāi)關(guān)頻率更高,熱傳導(dǎo)性更好,可以降低系統(tǒng)對(duì)散熱設(shè)備的要求,提高系統(tǒng)的能效和可靠性。
意法半導(dǎo)體在碳化硅和氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新,為工業(yè)設(shè)備提供更長(zhǎng)的使用壽命、更高的運(yùn)行效率和更低的能耗,推動(dòng)工業(yè)自動(dòng)化向更綠色、更智能的方向發(fā)展。
ST第三代SiC MOSFET提供多種封裝可選,為設(shè)計(jì)者提供創(chuàng)新功能。相比傳統(tǒng)IGBT模塊,碳化硅模塊成本雖高,但隨著市場(chǎng)玩家增多,產(chǎn)能逐漸擴(kuò)大,價(jià)格將會(huì)明顯下降,優(yōu)勢(shì)更加明顯。ST也布局功率轉(zhuǎn)換GaN和射頻功率GaN技術(shù),能與SiC技術(shù)互補(bǔ),滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)功率器件的需求。
ST的GaN產(chǎn)品主要應(yīng)用在高效、高功率密度開(kāi)關(guān)電源上,細(xì)分市場(chǎng)包括服務(wù)器和通信電源、OBC和機(jī)電一體化平臺(tái),以及能源生成、充電站和電力轉(zhuǎn)換。近期ST發(fā)布了PowerFLAT5×6封裝形式的產(chǎn)品,后續(xù)還將推出其他封裝形式,以及DirectGAN DSC。意法半導(dǎo)體的GaN器件將加速功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)向GaN寬帶隙技術(shù)過(guò)渡。
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