Redmi Buds 4開箱簡評：才199還有降噪 可以無腦入
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日本Rapidus公司近期宣布，他們計劃與日本東京大學、法國半導體研究機構Leti以及日本先進半導體技術中心（LSTC）展開合作，共同研發1納米等級芯片的IC設計基礎技術。這一合作將進一步提升芯片制造的技術水平，以滿足日益增長的計算需求。
據日經新聞報道，Rapidus與東京大學、理化學研究所（Riken）參與的LSTC研究機構已于2023年10月與法國Leti簽訂了合作備忘錄（MOU），旨在進一步探討合作方案。此次合作的目標是發展1.4~1納米的下一代芯片設計的必要基礎技術。
據了解，1納米等級芯片在節能和運算效率上將比2納米芯片高出10~20%，預計這種芯片將在2030年代普及。然而，要實現這一目標，需要發展出不同的晶體管結構。Leti在晶體管結構等領域擁有關鍵技術優勢，因此雙方將共同研發。LSTC預計將在試作品的評估與測試、人才派遣等方面提供協助。
Rapidus一直專注于2納米及以下芯片的量產技術與生產機制。他們已在日本北海道千歲市開始興建研發與生產工廠IIM-1，并計劃在2025年4月在IIM-1工廠內引進2納米芯片試作產線，2027年實現量產。此外，Rapidus還與IBM合作發展2納米芯片的量產技術，并與比利時電子研究中心（Imec）合作學習極紫外光（EUV）曝光機的技術。
據悉，IBM正在考慮與Rapidus展開合作，以推動1納米等級芯片技術的發展。Rapidus會長東哲郎在2023年多次表示，Rapidus有意開發1納米等級或1.4納米的芯片技術，強調在全球半導體開發競爭中要以最先進的等級為目標。
為支持Rapidus的發展，日本政府已經提供了高達3,300億日圓（22億美元）的補貼。目前，他們正在準備通過政府預算投入2023年度的新補貼，以進一步推動Rapidus的技術研發和產業合作。
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