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11月17日消息，據(jù)日經(jīng)新聞報道，目標在2027年量產(chǎn)2nm芯片的日本晶圓代工廠商——Rapidus近日又宣布攜手東京大學和法國半導體研究機構(gòu)Leti研發(fā)1nm等級芯片設(shè)計的基礎(chǔ)技術(shù)。
據(jù)了解，三方并將在2024年正式展開人才交流、技術(shù)共享，目標是運用Leti的半導體元件技術(shù)，建構(gòu)提升自動駕駛、人工智能（AI）不可或缺的1nm芯片產(chǎn)品供應機制。
今年10月，Rapidus、東大等日本國立大學以及理化學研究所參與的研究機構(gòu)“最先進半導體技術(shù)中心（LSTC）”已經(jīng)和Leti簽訂了考慮合作的備忘錄。LSTC和Leti的目標是確立1.4nm-1nm芯片研發(fā)所必要的基礎(chǔ)技術(shù)。
報道指出，在2nm芯片的量產(chǎn)上，Rapidus正和美國IBM、比利時半導體研發(fā)機構(gòu)imec合作，且也考慮在1nm等級產(chǎn)品上和IBM進行合作。預計在2030年代以后普及的1nm產(chǎn)品運算性能將較2nm提高10%-20%。
資料顯示，Rapidus于2022年8月成立，由豐田、Sony、NTT、NEC、軟銀(Softbank)、電裝（Denso）、NAND Flash大廠鎧俠(Kioxia)、三菱UFJ等8家日企共同出資設(shè)立，出資額各為73億日圓，且日本政府也將提供700億日圓補助金、作為其研發(fā)預算。目標是在5年后的2027年開始量產(chǎn)2nm先進制程芯片。Rapidus計劃國產(chǎn)化的對象為使用于自動駕駛、人工智能(AI)等用途的先進邏輯芯片。
今年2月底，Rapidus宣布將在日本北部島嶼北海道的千歲市建造一座2nm晶圓代工廠。Rapidus將基于IBM的2nm制程技術(shù)，研發(fā)“Rapidus版”制造技術(shù)，計劃2027年量產(chǎn)。而“Rapidus版”制造技術(shù)將會聚焦“高性能計算（HPC）”和“超低功耗（Ultra Low Power）”兩大方向。市場消息表示，Rapidus北海道2nm產(chǎn)線將分為三個或四個階段，稱為創(chuàng)新整合制造 (IIM)。IIM-1 階段將制造 2nm芯片，IIM-2 處理比2nm更先進制程。
今年9月初，Rapidus 2nm晶圓廠已經(jīng)正式動工建設(shè)，目標是在 2025 年之前將其 2nm 晶圓廠建成并試生產(chǎn)，隨后在2027年量產(chǎn)2nm芯片。屆時，日本有望成為繼美國、中國臺灣、韓國、愛爾蘭之后，成為全球第5個擁有導入EUV的芯片量產(chǎn)產(chǎn)線的地區(qū)。
編輯：芯智訊-林子
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