ictimes消息,三菱電機集團于2023年11月13日宣布,將與Nexperia B.V.建立戰略合作伙伴關系,共同開拓電力電子市場的碳化硅(SiC)功率半導體領域。此次合作中,三菱電機將運用其寬禁帶半導體技術協助Nexperia開發和供應SiC MOSFET芯片,以推動SiC分立器件的創新發展。
全球電動汽車市場的不斷擴大,預示著SiC功率半導體將迎來指數級增長。相比傳統的硅功率半導體,SiC功率半導體具有更低的損耗、更高的工作溫度和更快的開關速度,其高效率有望為全球脫碳和綠色轉型產生積極影響。
三菱電機在高速列車、高壓工業應用和家用電器等領域處于領先地位,自2010年以來一直致力于開發和制造SiC功率半導體。該公司成功推出用于空調的SiC功率模塊,并在2015年成為新干線子彈頭列車全SiC功率模塊的首家供應商。憑借豐富的專業技術和卓越的性能表現,三菱電機的SiC功率模塊在市場上具有高度可靠性。
三菱電機期待能進一步深化與Nexperia的合作伙伴關系。Nexperia在各種分立器件的設計、制造、品質保證和供應方面擁有豐富的經驗,其器件廣泛應用于汽車、工業、移動和消費市場,為推動低碳和可持續發展做出貢獻。三菱電機將繼續致力于提高其SiC芯片的性能和質量,并專注于功率模塊的開發與創新。
Nexperia雙極性分立器件事業部高級副總裁兼總經理Mark Roeloffzen與三菱電機半導體執行官兼集團總裁Takemi Masayoshi共同表示,他們都非常高興能夠達成這種共同開發合作伙伴關系,這將充分利用兩家公司的半導體技術。
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