近日,三菱電機宣布與Nexperia B.V.達成戰略合作,共同致力于電力電子市場的碳化硅(SiC)功率半導體開發。此合作中,三菱電機將以其寬禁帶半導體技術負責SiC MOSFET芯片的研發和供應,而Nexperia則將專注于SiC分立器件的開發。
Nexperia高級副總裁兼雙極分立業務部總經理Mark Roeloffzen表示這一合作是Nexperia碳化硅領域探索的重要一步。三菱電機作為碳化硅器件和模塊領域的技術成熟供應商,將與Nexperia的分立產品和封裝專業知識相結合,共同創造協同效應,為工業、汽車和消費市場提供高能效產品。
三菱電機半導體與器件執行官兼集團總裁Masayoshi Takemi表示,Nexperia在工業領域擁有領先地位,具備成熟的高質量分立半導體技術。雙方建立的共同開發合作伙伴關系將充分發揮兩家公司在半導體技術方面的優勢。
三菱電機在高速列車、高壓工業應用和家用電器等領域已取得領先地位。公司在碳化硅功率模塊的開發和制造方面積累了卓越專業知識,以先進性能和高可靠性而著稱。此次合作有望進一步推動碳化硅功率半導體技術的發展,為未來創新提供強有力支持。
這一戰略合作標志著兩大企業在碳化硅領域的共同探索,必將在推動半導體技術的前沿拓展中發揮積極作用。
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