安世半導體近期宣布推出采用D2PAK-7封裝的車規級1200V碳化硅MOSFET。這些器件此前已推出工業級版本，如今通過AEC-Q101認證，可廣泛應用于電動汽車的車載充電器（OBC）、牽引逆變器、DC-DC轉換器以及暖通空調系統（HVAC）等領域。
圖源：安世半導體
安世半導體指出，RDS(on)是衡量SiC MOSFET性能的關鍵指標，其值直接影響導通損耗。然而，隨著工作溫度上升，RDS(on)的標稱值可能增加100%以上，從而導致較高的導通損耗。與傳統通孔技術相比，采用表面貼裝器件（SMD）封裝時，溫度穩定性尤為重要，因為器件需通過PCB散熱。安世半導體通過創新工藝技術，顯著提升了新型SiC MOSFET的溫度穩定性。在25℃至175℃的工作溫度范圍內，其RDS(on)標稱值僅增加38%，表現優于行業平均水平。
此次推出的車規級SiC MOSFET系列產品，其RDS(on)值分別為30mΩ、40mΩ和60mΩ。此外，安世半導體還計劃在2025年推出17mΩ和80mΩ RDS(on)的車規級SiC MOSFET，進一步豐富產品線。

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