4月23日，臺積電在2025北美技術論壇上公布了其最新的半導體技術路線圖，展示了涵蓋人工智能（AI）、高性能計算（HPC）以及先進封裝等領域的多項突破性技術。
據(jù)媒體報道，臺積電在論壇上宣布其N3P制程已進入量產(chǎn)階段，而備受關注的A14制程技術預計將在2028年實現(xiàn)量產(chǎn)。A14是臺積電規(guī)劃的1.4納米級先進制程，采用第二代全環(huán)繞柵極場效應晶體管（GAAFET）技術，相較于現(xiàn)有的3納米和即將量產(chǎn)的2納米制程，性能和能效均有顯著提升。
A14制程性能大幅提升，聚焦AI與HPC應用
A14制程技術是臺積電下一代先進邏輯制程的核心，旨在通過優(yōu)化柵極結構和溝道密度，實現(xiàn)更高的電流控制能力。與N2制程相比，在相同功耗下，A14速度可提升15%，或在相同速度下降低高達30%的功耗，同時邏輯密度提升20%以上。此外，臺積電計劃將NanoFlex?標準單元架構升級為NanoFlex?Pro，以進一步提升設計靈活性。
A14制程主要面向AI、HPC及高端移動設備，支持更復雜的AI模型運算和低延遲數(shù)據(jù)處理。臺積電透露，A14的研發(fā)進展順利，良率已提前實現(xiàn)，后續(xù)還將推出衍生版本，包括A14P、A14X和A14C，分別滿足高性能、極致優(yōu)化和成本敏感型需求。
N3家族持續(xù)擴展，N3P與N3X相繼量產(chǎn)
臺積電在論壇上還介紹了其3納米制程家族的最新進展。N3P作為第三代3納米技術，已在2024年第四季度啟動量產(chǎn)，主要服務于需要提升效能的客戶端和數(shù)據(jù)中心應用。與N3E相比，N3P在同等功耗下性能提升約5%，或在相同性能下功耗降低5~10%，晶體管密度提升4%。
此外，臺積電計劃在2025年下半年量產(chǎn)N3X制程。據(jù)媒體報道，N3X在相同功耗下性能可再提升5%，或在相同性能下降低7%的功耗。其關鍵優(yōu)勢在于支持高達1.2V的電壓，但高電壓可能帶來漏電功耗增加的問題，開發(fā)者需謹慎設計。
先進封裝技術SoW-X計劃2027年量產(chǎn)
臺積電還發(fā)布了最新的晶圓級封裝技術SoW-X（System-on-Wafer-X），這是CoWoS封裝技術家族的新成員。SoW-X通過Chip-Last流程，可將多達16個大型計算芯片、存儲芯片和光互連模塊整合在晶圓級基板上，提供數(shù)千瓦的功率支持，目標是為AI和HPC芯片提供超高集成度和計算效率。
臺積電表示，SoW-X的運算能力比現(xiàn)有CoWoS解決方案提升40倍，計劃于2027年量產(chǎn)。此外，臺積電還計劃在同一年推出9.5倍光罩尺寸的CoWoS技術，以滿足AI對邏輯和高帶寬內存（HBM）的持續(xù)需求。

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