當(dāng)?shù)貢r(shí)間4月23日，臺(tái)積電在美國(guó)舉辦的“2025年北美技術(shù)研討會(huì)”上宣布，其性能增強(qiáng)版N3P制程將于2024年第四季度啟動(dòng)量產(chǎn)，而更為先進(jìn)的N3X芯片預(yù)計(jì)在今年下半年進(jìn)入量產(chǎn)階段。
據(jù)臺(tái)積電介紹，N3P是在現(xiàn)有N3E基礎(chǔ)上的光學(xué)縮減版本，設(shè)計(jì)規(guī)則與IP兼容性保持一致。在相同漏電率下，N3P可提升5%的性能，或在相同頻率下降低5%至10%的功耗。此外，對(duì)于典型混合邏輯、SRAM與模擬電路設(shè)計(jì)，N3P還能帶來(lái)約4%的晶體管密度提升。由于其密度提升源于光學(xué)制程改良，因此可實(shí)現(xiàn)對(duì)所有芯片結(jié)構(gòu)的更優(yōu)擴(kuò)展，尤其適合以SRAM為主的高性能設(shè)計(jì)。同時(shí)，N3P繼續(xù)支持3nm級(jí)別的客戶(hù)端和數(shù)據(jù)中心IP。
臺(tái)積電透露，N3P制程目前已進(jìn)入量產(chǎn)階段，公司正在為關(guān)鍵客戶(hù)進(jìn)行產(chǎn)品開(kāi)發(fā)與布局。而下一代N3X制程在相同功耗下可將最高性能提升5%，或在相同頻率下降低7%的功耗。N3X的關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)在于支持高達(dá)1.2V的電壓，這對(duì)需要極限頻率的應(yīng)用（如客戶(hù)端CPU）尤為重要。然而，高電壓也伴隨著代價(jià)，漏電功耗可能增加高達(dá)250%，因此開(kāi)發(fā)者在設(shè)計(jì)N3X芯片時(shí)需謹(jǐn)慎權(quán)衡。
臺(tái)積電業(yè)務(wù)發(fā)展與全球銷(xiāo)售資深副總裁兼副營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)張曉強(qiáng)表示，N3P已于2024年底開(kāi)始量產(chǎn)，公司將繼續(xù)優(yōu)化3nm制程。臺(tái)積電的策略是通過(guò)持續(xù)增強(qiáng)新節(jié)點(diǎn)，幫助客戶(hù)充分利用制程縮減的效益。他強(qiáng)調(diào)，客戶(hù)在遷移到新節(jié)點(diǎn)時(shí)需投入大量資金開(kāi)發(fā)IP，因此臺(tái)積電致力于讓客戶(hù)在每個(gè)新制程投資中獲得回報(bào)，并在產(chǎn)品層面提供支持。

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