南京芯干線科技近期公布，今年第一季度，公司以第三代半導(dǎo)體技術(shù)為核心，在多個(gè)領(lǐng)域取得顯著進(jìn)展，成功進(jìn)入全球一線品牌供應(yīng)鏈。這些領(lǐng)域包括AI算力基礎(chǔ)設(shè)施、消費(fèi)電子快充、高端音響電源及商用儲(chǔ)能。
在AI算力基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域，芯干線自主研發(fā)的700V增強(qiáng)型氮化鎵（GaN）功率器件和1200V碳化硅（SiC）MOSFET，經(jīng)過近三年的多輪測(cè)試，順利通過某全球一線AI服務(wù)器品牌系統(tǒng)商的可靠性驗(yàn)證，預(yù)計(jì)將于2025年第二季度正式接單量產(chǎn)。
在3C消費(fèi)電子領(lǐng)域，芯干線為某全球一線手機(jī)品牌定制的45W氮化鎵PD快充方案已在第一季度實(shí)現(xiàn)規(guī)模化量產(chǎn)。該方案集成了公司第三代GaN HEMT器件（X3G6516B5），這是一種700V增強(qiáng)型氮化鎵功率器件，通態(tài)電阻為150mΩ，采用DFN5x6封裝。
在專業(yè)音頻領(lǐng)域，芯干線開發(fā)的高端音響功放氮化鎵電源方案已通過國(guó)際一線品牌的認(rèn)證并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
在新能源儲(chǔ)能領(lǐng)域，芯干線為國(guó)內(nèi)某頭部商用儲(chǔ)能企業(yè)定制的1200V全碳化硅模塊（XS004HB120N6、XS003HB120N6）于第一季度正式投產(chǎn)。該模塊具有3mΩ的超低導(dǎo)通電阻，在導(dǎo)通電阻與動(dòng)態(tài)性能上均有顯著提升。

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