近日，國際半導(dǎo)體行業(yè)標準組織JEDEC正式發(fā)布了新一代高帶寬內(nèi)存標準HBM4，為生成式AI、高性能計算（HPC）、高端顯卡和服務(wù)器等領(lǐng)域帶來重要升級。據(jù)透露，SK海力士計劃采用臺積電3nm工藝生產(chǎn)HBM4，而三星也在考慮跟進。
HBM4在帶寬、通道數(shù)和電源效率等方面進行了顯著改進。其支持2048-bit接口，傳輸速度高達8Gb/s，總帶寬可達2TB/s。相比HBM3，HBM4的獨立通道數(shù)量翻倍至32個，每個通道還配備兩個偽通道，極大提升了內(nèi)存操作的靈活性和并行性。
在電源效率方面，HBM4支持多種供應(yīng)商特定的VDDQ和VDDC電平，有效降低了功耗。同時，HBM4接口設(shè)計確保與現(xiàn)有HBM3控制器的向后兼容性，允許單個控制器同時支持HBM3和HBM4，為系統(tǒng)集成提供了便利。
此外，HBM4引入了定向刷新管理（DRFM）技術(shù)，增強了對row-hammer攻擊的防護能力，并提升了可靠性、可用性和可維護性（RAS）。這些特性對保障數(shù)據(jù)安全和系統(tǒng)穩(wěn)定性至關(guān)重要。
容量方面，HBM4支持4層、8層、12層和16層DRAM堆棧配置，單個堆棧最大容量可達64GB，滿足了多樣化應(yīng)用場景的需求。架構(gòu)上，HBM4還分離了命令總線和數(shù)據(jù)總線，旨在提高并發(fā)性和減少延遲，特別適用于AI和HPC工作負載。
HBM4的開發(fā)得到了三星、美光和SK海力士等主要行業(yè)參與者的支持。三星表示將于2025年開始生產(chǎn)HBM4，以滿足人工智能芯片制造商和云服務(wù)廠商的需求。隨著AI模型和高性能計算對內(nèi)存帶寬和容量需求的不斷增長，HBM4的推出將為下一代存儲技術(shù)奠定基礎(chǔ)。

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