據業內人士透露，三星電子代工部門采用4nm工藝生產的邏輯芯片測試良率已超過40%。這一進展為其在高帶寬存儲器（HBM）技術領域的競爭注入新動力，尤其是在開發和量產第六代高帶寬存儲器（HBM4）方面。
一位半導體業內人士指出，“初始測試生產良率達到40%已屬不錯，業務可以立即展開。”他補充道，代工流程良率通常從10%左右起步，隨著量產推進會逐步提升。三星目前在HBM3E（第五代HBM）市場落后于SK海力士和美光，因此正全力推進HBM4邏輯芯片的生產。這種芯片采用先進制程工藝，不僅性能提升顯著，還能根據客戶需求定制設計，靈活應對“定制HBM”市場需求。
三星電子HBM4業務的成敗關鍵在于其內存業務部門正在開發的10nm級第六代（1c）DRAM。HBM4的12層產品需配備1c DRAM和邏輯芯片，若能實現1c DRAM的穩定量產，三星有望在HBM4性能上占據優勢。
半導體業內人士表示，“對三星電子而言，當前的主要任務是穩定HBM搭載的DRAM及封裝技術。”這將是其在HBM市場競爭中取得突破的關鍵所在。

本文鏈接：http://www.www897cc.com/showinfo-27-145640-0.html三星電子發力HBM4：4nm工藝邏輯芯片良率超40%

聲明：本網頁內容旨在傳播知識，若有侵權等問題請及時與本網聯系，我們將在第一時間刪除處理。郵件：2376512515@qq.com

上一篇： 英迪芯微發布高集成度微電機控制芯片

下一篇： 蘋果CEO庫克幕后推動關稅豁免成功