方正微電子發(fā)布第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS產(chǎn)品
方正微電子近期發(fā)布了第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS 1200V 13mΩ產(chǎn)品。據(jù)公司介紹，該產(chǎn)品在第一代高可靠性的基礎(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)化，性能顯著提升，Die size縮小，F(xiàn)OM值提高，同時(shí)滿足行業(yè)主流芯片面積需求。其主要特點(diǎn)包括高導(dǎo)通電阻（13mΩ）、高擊穿電壓（>1500V）、高閾值電壓（3V）以及高可靠性（＞3000小時(shí)）。此外，該產(chǎn)品支持1000VDC電驅(qū)系統(tǒng)，可靠性為行業(yè)通用認(rèn)證要求的3倍。
方正微電子表示，第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS產(chǎn)品已對(duì)標(biāo)行業(yè)頭部企業(yè)最新一代產(chǎn)品，而第一代SiC MOS已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模上車，預(yù)計(jì)到2025年將覆蓋幾十萬輛乘用車主驅(qū)。公司產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源車、光儲(chǔ)充、UPS、工業(yè)電源、AI服務(wù)器以及機(jī)器人、eVTOL、電動(dòng)船舶等新興領(lǐng)域。
在上海慕尼黑展會(huì)上，方正微電子展示了碳化硅全場(chǎng)景解決方案，涵蓋新能源汽車、光儲(chǔ)充等多個(gè)領(lǐng)域。其中，新能源汽車領(lǐng)域展示了G1/G2/G3三代車規(guī)碳化硅晶圓、襯底、外延、裸die器件和模組；光儲(chǔ)充領(lǐng)域則展示了SiC MOS單管、模組及SiC SBD解決方案。
士蘭微電子展示車用SiC模塊及8英寸產(chǎn)線進(jìn)展
士蘭微電子在上海慕尼黑展會(huì)上展示了多項(xiàng)解決方案，覆蓋白電、汽車、工業(yè)新能源、AI算力及機(jī)器人等領(lǐng)域。其中包括空調(diào)/冰箱/洗衣機(jī)變頻方案、車用SiC模塊、光伏逆變器解決方案及服務(wù)器板級(jí)電源等。
士蘭微電子還集中展示了四大核心領(lǐng)域解決方案：白電領(lǐng)域突出直流變頻技術(shù)應(yīng)用；汽車領(lǐng)域展示了B3G SiC模塊等車規(guī)級(jí)芯片；工業(yè)新能源領(lǐng)域主推微型逆變器與儲(chǔ)能變流器方案；AI算力方向則提供六軸IMU傳感器及服務(wù)器電源方案。
據(jù)資料顯示，士蘭微電子長(zhǎng)期堅(jiān)持IDM（設(shè)計(jì)制造一體化）發(fā)展道路，積累了豐富的技術(shù)和工藝經(jīng)驗(yàn)。今年2月，士蘭微電子8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目（廈門士蘭集宏一期）正式封頂。該項(xiàng)目一期投資70億元，預(yù)計(jì)今年年底初步通線，明年一季度投產(chǎn)，到2028年底將形成年產(chǎn)42萬片8英寸SiC功率器件芯片的生產(chǎn)能力。
此外，士蘭微電子在廈門制造基地建設(shè)的車規(guī)級(jí)6英寸SiC MOSFET產(chǎn)線自2022年起已量產(chǎn)三年。基于自主研發(fā)的第二代SiC主驅(qū)芯片開發(fā)的高性能SiC功率模塊已大批量上車，并獲得TOP客戶認(rèn)可。目前，士蘭微已完成四代SiC芯片研發(fā)，新一代SiC功率模塊預(yù)計(jì)今年上量。

本文鏈接：http://www.www897cc.com/showinfo-27-145228-0.html方正微電子與士蘭微電子齊發(fā)力碳化硅

聲明：本網(wǎng)頁內(nèi)容旨在傳播知識(shí)，若有侵權(quán)等問題請(qǐng)及時(shí)與本網(wǎng)聯(lián)系，我們將在第一時(shí)間刪除處理。郵件：2376512515@qq.com

上一篇： 豐田研發(fā)決策權(quán)移至中國(guó)，鉑智7將全球首發(fā)

下一篇： 韓國(guó)對(duì)華半導(dǎo)體出口下降23.5%，對(duì)美出口首超中國(guó)