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美國半導體關稅政策或將沖擊存儲芯片巨頭

來源:icspec 責編: 時間:2025-04-16 07:26:55 59觀看
導讀據韓國媒體《朝鮮日報》報道,美國總統特朗普即將啟動對半導體加征關稅的政策,此舉可能對三星電子、SK海力士和美光科技等存儲芯片廠商造成顯著影響。數據顯示,美國約90%的存儲芯片依賴進口。美光科技雖然在美國弗吉尼亞
據韓國媒體《朝鮮日報》報道,美國總統特朗普即將啟動對半導體加征關稅的政策,此舉可能對三星電子、SK海力士和美光科技等存儲芯片廠商造成顯著影響。
數據顯示,美國約90%的存儲芯片依賴進口。美光科技雖然在美國弗吉尼亞州擁有Fab 4晶圓廠,但該廠設備老舊,主要用于量產老制程DRAM,產能僅占美光DRAM總產量的8%。目前,美光的主要生產基地集中在新加坡以及中國臺灣的桃園廠(Fab 11)、臺中廠(Fab 16)和日本廣島廠(Fab 15)。此外,美光計劃從2025年起對美國本土老化晶圓廠進行升級,以支持高頻寬內存(HBM)等尖端產品的生產。
然而,由于美國本土存儲芯片產能有限,其對進口存儲芯片的依賴性極高,因此半導體行業普遍認為,特朗普政府對半導體加征高額關稅的可能性較低。
即便如此,加征關稅的政策仍可能對三星電子、SK海力士和美光等廠商帶來沖擊,尤其是對在中國大陸擁有大量產能的三星和SK海力士而言。即便存儲芯片獲得普遍關稅豁免,中國生產的半導體芯片仍可能面臨高額關稅。
根據市場調查機構Omdia的數據,三星電子、SK海力士和美光這三大存儲芯片廠商中,SK海力士受到的影響可能最為顯著。其在中國無錫的DRAM晶圓年產量達到210萬片,占其全球總產量的41%以上。
三星電子的大部分DRAM產能集中在韓國華城和平澤的工廠,但其位于中國西安的工廠是該公司最大的NAND Flash閃存生產基地,占其總產能的40%以上。截至2024年,西安工廠的晶圓年產量達57萬片,占比達到44%。
因此,即便特朗普政府對存儲芯片實施一般關稅政策,僅征收10%的基本關稅,但如果針對中國制造的芯片加征高額關稅,SK海力士無錫工廠和三星西安工廠仍可能面臨嚴峻挑戰。

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