3月14日，英飛凌在2025消費、計算與通訊創(chuàng)新大會（ICIC 2025）上，圍繞AI、機器人、邊緣計算及氮化鎵應(yīng)用等熱點話題展開深入探討。會上，英飛凌首次在中國展示了兩款突破性技術(shù)成果——300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體晶圓和20μm超薄硅功率晶圓。
英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁潘大偉參觀兩款首次在中國實體展示的晶圓
英飛凌在氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域取得顯著進展，其300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體晶圓已實現(xiàn)量產(chǎn)突破。新一代中壓CoolGaN?器件將系統(tǒng)效率提升至96%，大幅降低數(shù)據(jù)中心、電信及家電領(lǐng)域的能耗與成本。此外，英飛凌推出的20μm超薄硅晶圓技術(shù)，顯著提高了功率轉(zhuǎn)換解決方案的能效、功率密度和可靠性，為行業(yè)帶來全新技術(shù)選擇。
在硅基半導(dǎo)體領(lǐng)域，英飛凌發(fā)布了CoolMOS? 8高壓超結(jié)（SJ）MOSFET系列產(chǎn)品，覆蓋從低功率到高功率的消費類和工業(yè)應(yīng)用。作為寬禁帶半導(dǎo)體的高性價比替代方案，CoolMOS? 8不僅提升了功率密度，還確保了器件的可靠性，同時兼容CoolMOS? 7，支持600V和650V兩種電壓等級。
此外，英飛凌還推出了PSOC? Control C3 MCU，這是一款基于Arm? Cortex?-M33的高性能微控制器，頻率最高可達180MHz。在ModusToolbox?工具和軟件的支持下，該產(chǎn)品為電機控制和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)提供了高效、可靠且安全的解決方案，適用于家用電器、智能家居及光伏逆變器等場景。
英飛凌將機器人視為未來高增長潛力的核心領(lǐng)域，提供從電源產(chǎn)品、傳感器、微控制器到連接芯片和電機驅(qū)動的全棧解決方案。其創(chuàng)新技術(shù)賦能機器人實現(xiàn)智能化、高效化和輕量化。例如，基于CoolGaN?的驅(qū)動系統(tǒng)使雙足機器人的動態(tài)響應(yīng)速度提升25-50%。據(jù)英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁潘大偉介紹，氮化鎵技術(shù)在機器人關(guān)節(jié)中的應(yīng)用可顯著縮小系統(tǒng)體積、減輕重量，并延長電池續(xù)航能力。

英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁潘大偉表示，2025年是英飛凌進入中國市場的30周年。未來，英飛凌將繼續(xù)深化“在中國、為中國”的本土化戰(zhàn)略，圍繞運營、創(chuàng)新、生產(chǎn)及生態(tài)等方面，為客戶創(chuàng)造更多價值。英飛凌計劃擴大MCUs、MOSFETs等通用半導(dǎo)體產(chǎn)品的本地化生產(chǎn)，以滿足新能源、汽車、工業(yè)控制及消費電子等領(lǐng)域的需求。
英飛凌還與本土企業(yè)合作開發(fā)定制化方案，如為某頭部企業(yè)設(shè)計的模塊化關(guān)節(jié)控制器，集成驅(qū)動、傳感與安全功能，成本降低20%。通過全流程支持，英飛凌助力客戶加速產(chǎn)品上市周期，推動機器人、AI數(shù)據(jù)中心及邊緣計算等領(lǐng)域的創(chuàng)新發(fā)展。

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