3月14日,2025英飛凌消費、計算與通訊創(chuàng)新大會(ICIC 2025)在深圳盛大召開,匯聚600余位業(yè)界精英,聚焦AI、機器人、邊緣計算及氮化鎵應用等熱門議題。
會上,英飛凌首次在國內(nèi)展示了兩項突破性技術(shù)——300mm氮化鎵功率半導體晶圓和20μm超薄硅功率晶圓,彰顯了其在技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)域的領(lǐng)軍地位。
英飛凌科技全球高級副總裁潘大偉表示,值此英飛凌在華30周年之際,公司將深入推進本土化戰(zhàn)略,圍繞“運營、創(chuàng)新、生產(chǎn)、生態(tài)”四大方面,持續(xù)為客戶創(chuàng)造價值,推動業(yè)務穩(wěn)健發(fā)展。
他系統(tǒng)介紹了英飛凌在機器人、AI數(shù)據(jù)中心和邊緣計算等領(lǐng)域的市場策略及優(yōu)勢,表示將以這些市場為主要驅(qū)動力,依托領(lǐng)先的半導體技術(shù)和本土應用創(chuàng)新生態(tài),賦能客戶價值創(chuàng)造,推動應用場景落地,引領(lǐng)行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。
會上,英飛凌還全面解析了四款重磅新品,包括PSOC? Control C3 MCU、新一代中壓CoolGaN?半導體器件、CoolMOS? 8高壓超結(jié)(SJ)MOSFET以及XDP?數(shù)字電源。
這些新品在性能、效率、可靠性等方面均表現(xiàn)出色,將為各行業(yè)提供更為環(huán)保、高效、智能的解決方案。
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