據韓媒報道,三星電子計劃在2025年完成最新一代3D NAND V10的量產準備,并首次引入東京威力科創(TEL)的極低溫蝕刻設備。
此前,三星在V8和V9的先進極低溫蝕刻制程中僅使用美國科林研發的設備。
極低溫蝕刻是在零下30度至零下60~70度的環境下進行,相比傳統蝕刻更加精準,速度也可提升至原本的3倍。隨著TEL進入三星供應鏈,科林研發的獨占地位將受影響。
自2024年起,三星已在平澤第三工廠的NAND產線導入TEL的極低溫蝕刻設備進行V10與V11的量產測試。此舉旨在降低對科林研發的依賴,降低成本并穩定先進制程設備供應鏈。
對于存儲器業者而言,過度依賴特定設備供應商存在負擔與風險。TEL若能提供所需技術,將有助于三星降低成本并穩定設備供應鏈。
三星在NAND市場競爭激烈,此次策略調整顯示出其不想讓出主導權的決心。
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