近期,美光成功向客戶供應第六代10納米級DRAM樣品,即1γ DRAM,速度較前一代提升15%,耗電量減少20%以上。這一進展使美光在DRAM市場上超越了三星電子。
據(jù)悉,三星原計劃在2024年末量產(chǎn)1c DRAM(線寬約11~12納米),但受良率問題困擾,量產(chǎn)可能推遲至2025年5月或更晚。為了應對挑戰(zhàn),三星正在調(diào)整設(shè)計,計劃擴大芯片尺寸以提高良率和穩(wěn)定性。
業(yè)界指出,三星在HBM3E量產(chǎn)時程上也落后于美光,若1c DRAM無法及時量產(chǎn),將進一步影響其HBM4競爭力。為了量產(chǎn)1c DRAM,三星已開始進行設(shè)備投資,在平澤四廠下訂建設(shè)小規(guī)模產(chǎn)線的設(shè)備。
與此同時,SK海力士已在2024年8月完成1c DRAM研發(fā),并表示已具備量產(chǎn)能力。SK海力士以1b DRAM的制程技術(shù)競爭力為基礎(chǔ),在1c DRAM上具備更高的良率穩(wěn)定性,有望領(lǐng)先業(yè)界正式量產(chǎn)。
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