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三星突破NAND閃存技術,力求實現1000層堆疊

來源: 責編: 時間:2025-02-28 12:39:57 88觀看
導讀在近日于舊金山舉行的國際固態電路會議(ISSCC)上,三星電子的DS部門CTO宋在赫展示了其在半導體領域的最新技術突破,包括晶圓鍵合、低溫蝕刻和鉬應用等技術。宋在赫透露,三星正致力于通過晶圓鍵合技術實現1000層以上的NAND堆

在近日于舊金山舉行的國際固態電路會議(ISSCC)上,三星電子的DS部門CTO宋在赫展示了其在半導體領域的最新技術突破,包括晶圓鍵合、低溫蝕刻和鉬應用等技術。
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宋在赫透露,三星正致力于通過晶圓鍵合技術實現1000層以上的NAND堆疊,這項技術通過將多個晶圓結合,突破了單一晶圓堆疊的物理限制。這一技術的發展,意味著NAND閃存的存儲能力和效率將大幅提升。值得注意的是,三星并非唯一探索這一方向的企業,鎧俠和長江存儲也在爭相研發類似技術,預計將于2027年推出1000層NAND產品。iRb28資訊網——每日最新資訊28at.com


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此外,三星展示的低溫蝕刻技術可解決傳統堆疊過程中出現的層間問題,并為更大規模的量產做好準備。這一技術通過在極低溫度下進行高速蝕刻,減少了傳統方法中的堆疊誤差。iRb28資訊網——每日最新資訊28at.com


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另外,三星還計劃引入鉬材料替代鎢和氮化鈦材料,以降低晶體管電阻,進一步提升存儲器的性能。業內專家指出,隨著這些技術的推進,半導體產業將迎來設備與材料市場的雙重革命,技術變革帶來的行業動蕩將在未來幾年加速上演。iRb28資訊網——每日最新資訊28at.com


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本文鏈接:http://www.www897cc.com/showinfo-27-134505-0.html三星突破NAND閃存技術,力求實現1000層堆疊

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