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英特爾High NA設備已投入生產,可靠性翻倍

來源: 責編: 時間:2025-02-26 12:32:10 53觀看
導讀英特爾工程師透露,首兩臺ASML高數值孔徑極紫外光(High NA EUV)微影設備已投入生產,一季度內制造出3萬片晶圓。該設備可靠性較舊時代設備高出1倍,展現出顯著優勢。英特爾資深首席工程師Steven Carson表示,新設備不僅保持穩定

英特爾工程師透露,首兩臺ASML高數值孔徑極紫外光(High NA EUV)微影設備已投入生產,一季度內制造出3萬片晶圓。該設備可靠性較舊時代設備高出1倍,展現出顯著優勢。YCQ28資訊網——每日最新資訊28at.com


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英特爾資深首席工程師Steven Carson表示,新設備不僅保持穩定的晶圓產出速度,還能通過單次曝光和少數處理步驟完成舊設備需多次曝光和復雜步驟的工作。YCQ28資訊網——每日最新資訊28at.com


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英特爾計劃利用此高數值孔徑設備助力Intel 18A制程技術開發,并將全面應用于更先進的Intel 14制程。Intel 18A預計2025年下半年量產,而Intel 14的具體時間表尚未公布。YCQ28資訊網——每日最新資訊28at.com


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此前,英特爾在晶圓制造競爭中落后于臺積電等對手,部分原因在于較晚導入極紫外光設備,并在初期遭遇設備可靠性問題。因此,英特爾搶先購入高數值孔徑設備,以期在新時代制程技術競爭中占據優勢。YCQ28資訊網——每日最新資訊28at.com

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