據(jù)鎵仁半導(dǎo)體官微消息，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司有新進(jìn)展。公司基于自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長設(shè)備，優(yōu)化工藝，采用垂直布里奇曼（VB）法，成功實現(xiàn) 4 英寸氧化鎵單晶的導(dǎo)電型摻雜。
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此前，鎵仁半導(dǎo)體在 VB 法氧化鎵單晶生長上，已實現(xiàn)直徑 4 英寸的突破。之后，團隊在此基礎(chǔ)上開展導(dǎo)電型摻雜工作。令人驚喜的是，研發(fā)團隊僅用一爐次，就完成了 4 英寸導(dǎo)電型氧化鎵單晶的生長，并且長晶結(jié)果穩(wěn)定可重復(fù)。hox28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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這充分展現(xiàn)出鎵仁半導(dǎo)體自研的氧化鎵專用晶體生長設(shè)備，以及配套的晶體生長工藝，在 VB 法氧化鎵單晶生長方面，具備高適配性、高穩(wěn)定性和高容錯率的優(yōu)勢。hox28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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