半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備領(lǐng)導(dǎo)者愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試(Advantest Corporation)發(fā)布了T5801超高速DRAM測(cè)試系統(tǒng)。該系統(tǒng)專為GDDR7、LPDDR6和DDR6等最新高速存儲(chǔ)器技術(shù)設(shè)計(jì),旨在滿足AI、HPC和邊緣應(yīng)用等需求。
隨著存儲(chǔ)器技術(shù)日益復(fù)雜和高速,T5801平臺(tái)應(yīng)運(yùn)而生,為最高速度的存儲(chǔ)器元件提供精準(zhǔn)、高效的測(cè)試。
該系統(tǒng)采用創(chuàng)新前端單元測(cè)試(FEU)架構(gòu),滿足次時(shí)代DRAM模塊的嚴(yán)格需求,達(dá)到36Gbps PAM3和18Gbps NRZ的領(lǐng)先效能。
愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試ATE事業(yè)群存儲(chǔ)器測(cè)試事業(yè)本部長(zhǎng)鈴木雅之表示,T5801能幫助客戶以準(zhǔn)確、快速和可靠的方式驗(yàn)證次時(shí)代DRAM效能,確保產(chǎn)品快速上市。
T5801建立在愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試的領(lǐng)先DRAM測(cè)試解決方案基礎(chǔ)上,支持PAM3,創(chuàng)下JEDEC標(biāo)準(zhǔn)DRAM首例,展現(xiàn)其在GDDR7等存儲(chǔ)器創(chuàng)新方面的實(shí)力。
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