據韓媒報道,長鑫存儲(CXMT)已量產基于16nm制程的DDR5內存芯片,良率達80%左右,產品定名為“G4”。與上一代18nm的G3相比,G4的DRAM單元尺寸縮小了20%。
此外,長鑫存儲正在研發15nm的下一代DRAM制程技術,即G5,預計2025年底開發完成,最快2026年下半年商業化。
長鑫存儲此前主要生產DDR4、LPDDR4X等較成熟產品,2024年11月首次發布了LPDDR5產品,2025年初成功實現DDR5商業化。長鑫存儲一直在同時開發17nm和16nm制程技術,最終選擇更先進的16nm制程技術用于首款商用DDR5產品。
雖然長鑫存儲原計劃使用EUV設備開發15nm制程技術,但受美國出口限制影響,只能利用現有設備開發和量產下一代制程。
盡管如此,長鑫存儲仍積極推行制程優化和先進制程設備的國產化,以期望突破技術瓶頸。目前,三星電子和SK海力士已開發出15nm和12nm DRAM制程技術,但中國技術進步迅速,差距正在逐漸縮小。
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