三星加速1c DRAM開發(fā)，押注HBM4翻盤

來源：責(zé)編：時(shí)間：2025-02-13 17:12:55 81觀看

導(dǎo)讀三星電子據(jù)傳正在加速開發(fā)1c DRAM，以期在HBM4上實(shí)現(xiàn)翻盤。針對(duì)此前HBM失去主導(dǎo)地位的困境，三星決定跳過1b DRAM，全力投入1c DRAM的研發(fā)。據(jù)韓媒報(bào)道，三星已重新設(shè)計(jì)第四代1a DRAM，并正考慮對(duì)10納米級(jí)1c DRAM進(jìn)行再設(shè)計(jì)，以提

三星電子據(jù)傳正在加速開發(fā)1c DRAM，以期在HBM4上實(shí)現(xiàn)翻盤。針對(duì)此前HBM失去主導(dǎo)地位的困境，三星決定跳過1b DRAM，全力投入1c DRAM的研發(fā)。

據(jù)韓媒報(bào)道，三星已重新設(shè)計(jì)第四代1a DRAM，并正考慮對(duì)10納米級(jí)1c DRAM進(jìn)行再設(shè)計(jì)，以提高良率。此前，三星在技術(shù)開發(fā)上取得了突破，但良率未達(dá)預(yù)期，導(dǎo)致開發(fā)目標(biāo)延期。

為了提升HBM競(jìng)爭(zhēng)力，三星計(jì)劃將1c DRAM用于2025年下半年量產(chǎn)的HBM4。而競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士則計(jì)劃在HBM4中使用1b DRAM，從HBM4E開始才使用1c DRAM。

對(duì)于三星而言，率先將1c DRAM用于HBM4是一場(chǎng)關(guān)鍵戰(zhàn)役。此前，重要客戶NVIDIA曾對(duì)三星HBM設(shè)計(jì)提出質(zhì)疑，認(rèn)為需要重新設(shè)計(jì)。而三星半導(dǎo)體暨裝置解決方案部門負(fù)責(zé)人也表示正在重新審視DRAM設(shè)計(jì)。

盡管三星方面表示無法確認(rèn)任何特定產(chǎn)品的開發(fā)信息，但韓國(guó)業(yè)界認(rèn)為，如果三星僅對(duì)1c DRAM的問題部分進(jìn)行再設(shè)計(jì)，仍可按原計(jì)劃推進(jìn)，預(yù)計(jì)良率問題將很快解決。

若一切順利，三星有望在2025年上半年完成1c DRAM開發(fā)，下半年將其用于HBM4量產(chǎn)。

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