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美光第二代HBM3內存實現帶寬、效率與速度的同時提升

來源: 責編: 時間:2023-08-07 10:56:26 337觀看
導讀美光旨在通過其最新一代高帶寬內存 (HBM3) 技術實現高帶寬、效率和速度之間的平衡。美光科技最近宣布“業界首款”HBM3 Gen2內存芯片已進入樣品階段。隨著生成式人工智能模型變得越來越普遍,設計人員必須克服人工智能

美光旨在通過其最新一代高帶寬內存 (HBM3) 技術實現高帶寬、效率和速度之間的平衡。Hcv28資訊網——每日最新資訊28at.com


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美光科技最近宣布“業界首款”HBM3 Gen2內存芯片已進入樣品階段。隨著生成式人工智能模型變得越來越普遍,設計人員必須克服人工智能內存在效率、成本和性能瓶頸。與傳統內存解決方案相比,第二代 HBM3 具有獨特的優勢,因此可以解決其中一些痛點。Hcv28資訊網——每日最新資訊28at.com

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美光的 HBM3 Gen2 內存芯片可以提高密度和帶寬,同時降低功耗并提高計算模塊的效率。 圖片由美光科技提供Hcv28資訊網——每日最新資訊28at.com

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最新的 HBM3 內存基于美光的 1β(1-beta)DRAM 工藝節點構建,最多允許 24 Gb 內存芯片堆疊成 8 或 12層3D 堆棧。 不僅提高了純存儲密度,還提高了帶寬和功耗性能。 本文深入探討了這些優勢以及美光科技最新的內存產品,讓讀者了解 HBM3 標準如何實現新的、強大的內存進步。Hcv28資訊網——每日最新資訊28at.com


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HBM3 標準因對快速、高效內存的需求而興起Hcv28資訊網——每日最新資訊28at.com


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自推出以來,馮·諾依曼架構就一直是芯片設計師的掣肘。對于需要大量內存的人工智能模型尤其如此,內存墻一直是整個系統的瓶頸。Hcv28資訊網——每日最新資訊28at.com


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為了應對這一限制,HBM 使用 3D 集成來進一步耦合計算和內存芯片,并提供更高的整體帶寬和功效。 HBM3 Gen1 是 JEDEC 最新批準的標準,以 HBM2 和 HBM2E 標準為基礎,支持未來堆疊內存芯片的更高帶寬和能效。Hcv28資訊網——每日最新資訊28at.com

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HBM3 內存使用垂直堆疊芯片來提高內存密度和帶寬性能。 圖片由 Synopsys 提供Hcv28資訊網——每日最新資訊28at.com

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盡管內存標準主要關注速度和帶寬,但功耗才是大型部署效率低下的主要原因。 因此,HBM3標準不僅將帶寬從3.6 Gbps增加到6.4 Gbps,將最大容量從16 GB增加到64 GB,而且大大降低了存儲設備的核心電壓和功耗。Hcv28資訊網——每日最新資訊28at.com


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美光 HBM3 Gen2:提高每瓦性能Hcv28資訊網——每日最新資訊28at.com


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盡管 JEDEC 尚未發布 HBM3 Gen2 標準,但美光等公司正在開發下一代 HBM 設備,以滿足新興應用的內存需求。 美光 HBM3 Gen2 芯片以其 HBM2E 產品組合為基礎,出色的性能使其成為帶寬密集型應用的有吸引力的解決方案。Hcv28資訊網——每日最新資訊28at.com


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HBM3 內存允許將內存芯片放置在非常靠近計算模塊的位置,從而降低處理器和內存之間的延遲,并提高內存密集型應用程序的性能。 圖片由 Synopsys 提供
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就純帶寬而言,HBM3 Gen2 芯片支持超過 1.2 TB/s 的內存帶寬,可與 AI 計算核心結合使用,并且12層堆疊比8層容量密度增加50%。 HBM3 Gen2 提高了性能并降低了功耗,每瓦性能提高了 2.5 倍,從而降低了系統的總運營成本。Hcv28資訊網——每日最新資訊28at.com


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美光將于 2024 年第一季度開始發售其 36 GB 12層堆疊HBM3。這種使用先進封裝和集成技術的更高帶寬內存的趨勢預示著復雜 AI 模型的未來。Hcv28資訊網——每日最新資訊28at.com


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更多維度的內存Hcv28資訊網——每日最新資訊28at.com


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雖然并非所有設計人員都會直接使用堆疊內存芯片,但所有領域的工程師都會感受到 HPC 和 AI 應用內存帶寬改進的效果。通過提高內存速度和能效,AI 模型和 HPC 集群可以以更低的總成本提供更多優勢。Hcv28資訊網——每日最新資訊28at.com


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隨著官方 HBM3 標準的發展,像美光這樣的芯片制造商可能會對該標準的局限性做出迅速反應。 例如,堆疊層數上限可能會限制3D 內存芯片的整體容量和帶寬。Hcv28資訊網——每日最新資訊28at.com


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