1 月 16 日消息,根據韓媒《首爾經濟日報》報道,SK 海力士計劃在 2024 年之前,完成對無錫 C2 工廠的改造,轉換升級為第四代(1a)D-ram 工藝,該工藝達到10nm 級別。
IT酷哥注:無錫工廠是該公司的核心生產基地,約占 SK hynix D-RAM 總產量的 40%。該廠目前生產 10 納米后期級別的第二代(1y)和第三代(1z)D-RAM,屬于舊(傳統)產品線。
消息稱 SK 海力士會在無錫工廠完成第四代 D-RAM 的部分工藝,然后把晶圓運到韓國總部利川園區內,使用 EUV 加工之后再返回送到無錫工廠。
由于第四代產品只有一個 D-RAM 層需要采用 EUV 工藝,該公司顯然認為成本增加是值得的。
在 2013 年無錫工廠大火期間,該公司克服了 D-RAM 生產中斷的困難,因此在這種方法上也積累了豐富的經驗。
關于無錫工廠的工藝轉型,SK 海力士表示無法確認該公司具體的工廠運營計劃。
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