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顯存技術重大突破,消息稱 SK 海力士明年將推 2.5D fan-out 封裝方案

來源: 責編: 時間:2023-11-28 17:09:59 237觀看
導讀 11 月 28 日消息,根據韓媒 Business Korea 報道,SK 海力士計劃明年發布“2.5D fan-out”集成存儲芯片封裝方案,實現兩個芯片之間的端到端連接。這種封裝方案是將兩個 DRAM 芯片水平并排放置,然后將它們組合成一個

11 月 28 日消息,根據韓媒 Business Korea 報道,SK 海力士計劃明年發布“2.5D fan-out”集成存儲芯片封裝方案,實現兩個芯片之間的端到端連接。gqh28資訊網——每日最新資訊28at.com

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這種封裝方案是將兩個 DRAM 芯片水平并排放置,然后將它們組合成一個芯片。這種方案的優勢是由于芯片下方沒有添加基板,可以讓成品微電路更薄。gqh28資訊網——每日最新資訊28at.com

IT酷哥援引該韓媒報道,臺積電自 2016 年以來一直使用類似的安排來集成不同的芯片,并應用于蘋果的處理器生產中,不過存儲廠商此前并未關注過這項技術。gqh28資訊網——每日最新資訊28at.com

HBM 型存儲芯片的垂直集成固然可以顯著增加接口帶寬,但成本高昂,而 SK 海力士研發的“2.5D fan-out”,能有效降低生產 DRAM 芯片成本,預估會在游戲顯卡的 GDDR 顯存中使用。gqh28資訊網——每日最新資訊28at.com

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