全球半導(dǎo)體制造龍頭臺(tái)積電近日啟動(dòng)大規(guī)模產(chǎn)能結(jié)構(gòu)調(diào)整,宣布將逐步退出氮化鎵(GaN)代工業(yè)務(wù),同時(shí)推進(jìn)8英寸晶圓廠整合計(jì)劃,并加速自研極紫外光(EUV)光罩薄膜的量產(chǎn)進(jìn)程。這一系列戰(zhàn)略調(diào)整旨在應(yīng)對(duì)先進(jìn)制程成本攀升壓力,通過(guò)優(yōu)化資源配置提升技術(shù)自主性,鞏固其在7納米及以下制程領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
根據(jù)內(nèi)部規(guī)劃,臺(tái)積電將關(guān)閉新竹科學(xué)園區(qū)運(yùn)營(yíng)超過(guò)三十年的6英寸二廠,并對(duì)新竹地區(qū)的三座8英寸晶圓廠(Fab 3、Fab 5、Fab 8)實(shí)施整合。此次調(diào)整涉及約30%的廠區(qū)員工,其中部分人員將調(diào)往南部科學(xué)園區(qū)及高雄廠區(qū),以緩解北部廠區(qū)人力過(guò)剩問(wèn)題。公司管理層透露,此舉預(yù)計(jì)每年可節(jié)省數(shù)億美元的運(yùn)營(yíng)成本,同時(shí)提升整體產(chǎn)能利用率。
在舊廠改造方面,臺(tái)積電制定了差異化轉(zhuǎn)型方案:6英寸廠區(qū)將轉(zhuǎn)型為CoPoS面板級(jí)封裝生產(chǎn)基地,重點(diǎn)服務(wù)先進(jìn)封裝需求;8英寸廠區(qū)則承擔(dān)更關(guān)鍵的技術(shù)突破任務(wù)——量產(chǎn)自主研發(fā)的EUV光罩薄膜。這種保護(hù)膜覆蓋在光刻光罩表面,可有效阻擋微粒污染,對(duì)維持7納米以下制程的良率至關(guān)重要。此前,行業(yè)普遍采用透光性與穩(wěn)定性欠佳的有機(jī)材料薄膜,導(dǎo)致晶圓廠不得不頻繁更換光罩,既增加成本又延長(zhǎng)生產(chǎn)周期。
臺(tái)積電技術(shù)團(tuán)隊(duì)研發(fā)的新型無(wú)機(jī)材料薄膜,在透光率與耐熱性方面實(shí)現(xiàn)顯著提升。經(jīng)內(nèi)部測(cè)試,該薄膜可使EUV光刻機(jī)的有效工作時(shí)間延長(zhǎng)30%以上,同時(shí)將光罩更換頻率降低50%。這項(xiàng)突破不僅有助于提升先進(jìn)制程的良率,更可減少對(duì)ASML等設(shè)備供應(yīng)商的依賴。目前全球EUV光罩薄膜市場(chǎng)長(zhǎng)期被日本信越化學(xué)等企業(yè)壟斷,臺(tái)積電的自研產(chǎn)品有望打破這一格局。
行業(yè)分析指出,臺(tái)積電的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)向與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀密切相關(guān)。過(guò)去十年間,該公司在先進(jìn)制程領(lǐng)域投入超千億美元,但隨著摩爾定律逼近物理極限,單純依靠制程縮小的收益逐漸遞減。以EUV光刻機(jī)為例,單臺(tái)設(shè)備價(jià)格達(dá)1.5億美元,最新High-NA版本更超過(guò)3.5億美元,且核心設(shè)備供應(yīng)被ASML獨(dú)家掌控。在此背景下,臺(tái)積電選擇放緩High-NA設(shè)備采購(gòu),轉(zhuǎn)而加強(qiáng)關(guān)鍵配套技術(shù)的自主研發(fā),這種"技術(shù)補(bǔ)強(qiáng)"策略正在重塑行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)規(guī)則。
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce的數(shù)據(jù)顯示,臺(tái)積電目前占據(jù)全球EUV光刻機(jī)總裝機(jī)量的65%,但其先進(jìn)制程成本仍比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手高出18%-22%。通過(guò)量產(chǎn)自研EUV薄膜,預(yù)計(jì)可使單片晶圓生產(chǎn)成本降低4%-7%,這對(duì)維持其技術(shù)溢價(jià)具有重要意義。公司財(cái)務(wù)部門表示,相關(guān)技術(shù)成果將在2026年第二季度開始貢獻(xiàn)營(yíng)收,有望帶動(dòng)毛利率提升1.2-1.8個(gè)百分點(diǎn)。
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