Find N3入網：最高支持16+1TB
OPPO將于近期登場的Find N3折疊屏目前已經正式入網，型號為PHN110。本次Find N3在外觀方面相比前兩代有很大的變化，不再是小號的橫向折疊屏，而是跟別的廠商一樣采用了較為常見的
全球半導體制造龍頭臺積電近日啟動大規模產能結構調整，宣布將逐步退出氮化鎵（GaN）代工業務，同時推進8英寸晶圓廠整合計劃，并加速自研極紫外光（EUV）光罩薄膜的量產進程。這一系列戰略調整旨在應對先進制程成本攀升壓力，通過優化資源配置提升技術自主性，鞏固其在7納米及以下制程領域的領先地位。
根據內部規劃，臺積電將關閉新竹科學園區運營超過三十年的6英寸二廠，并對新竹地區的三座8英寸晶圓廠（Fab 3、Fab 5、Fab 8）實施整合。此次調整涉及約30%的廠區員工，其中部分人員將調往南部科學園區及高雄廠區，以緩解北部廠區人力過剩問題。公司管理層透露，此舉預計每年可節省數億美元的運營成本，同時提升整體產能利用率。
在舊廠改造方面，臺積電制定了差異化轉型方案：6英寸廠區將轉型為CoPoS面板級封裝生產基地，重點服務先進封裝需求；8英寸廠區則承擔更關鍵的技術突破任務——量產自主研發的EUV光罩薄膜。這種保護膜覆蓋在光刻光罩表面，可有效阻擋微粒污染，對維持7納米以下制程的良率至關重要。此前，行業普遍采用透光性與穩定性欠佳的有機材料薄膜，導致晶圓廠不得不頻繁更換光罩，既增加成本又延長生產周期。
臺積電技術團隊研發的新型無機材料薄膜，在透光率與耐熱性方面實現顯著提升。經內部測試，該薄膜可使EUV光刻機的有效工作時間延長30%以上，同時將光罩更換頻率降低50%。這項突破不僅有助于提升先進制程的良率，更可減少對ASML等設備供應商的依賴。目前全球EUV光罩薄膜市場長期被日本信越化學等企業壟斷，臺積電的自研產品有望打破這一格局。
行業分析指出，臺積電的戰略轉向與半導體產業現狀密切相關。過去十年間，該公司在先進制程領域投入超千億美元，但隨著摩爾定律逼近物理極限，單純依靠制程縮小的收益逐漸遞減。以EUV光刻機為例，單臺設備價格達1.5億美元，最新High-NA版本更超過3.5億美元，且核心設備供應被ASML獨家掌控。在此背景下，臺積電選擇放緩High-NA設備采購，轉而加強關鍵配套技術的自主研發，這種"技術補強"策略正在重塑行業競爭規則。
市場研究機構TrendForce的數據顯示，臺積電目前占據全球EUV光刻機總裝機量的65%，但其先進制程成本仍比競爭對手高出18%-22%。通過量產自研EUV薄膜，預計可使單片晶圓生產成本降低4%-7%，這對維持其技術溢價具有重要意義。公司財務部門表示，相關技術成果將在2026年第二季度開始貢獻營收，有望帶動毛利率提升1.2-1.8個百分點。
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