Golang 中的 io 包詳解：組合接口
io.ReadWriter// ReadWriter is the interface that groups the basic Read and Write methods.type ReadWriter interface { Reader Writer}是對Reader和Writer接口的組合，
4 月 12 日消息，韓媒 asiae 于 4 月 10 日發布博文，消息稱三星計劃 2025 年 11 月量產首款采用 2 納米工藝的 Exynos 2600 芯片。若 Galaxy S26 機型能順利搭載 Exynos 2600，三星有望借此展示 2 納米技術實力，吸引更多客戶。
IT酷哥援引博文介紹，新任 Foundry 事業部負責人韓真晚（Han Jinman）上任后取得重大進展。他上任僅四個月，便著手優化生產良率并調整經營策略，全面檢視了 2 納米工藝的生產線和運營模式，不僅鞏固技術優勢，還拓寬了市場布局。
他積極拓展三星的客戶群，從北美大廠擴展至中國、印度和歐洲的設計公司，增加成熟制程訂單，以降低固定成本并提升先進制程的競爭力。
Exynos 2600 芯片采用 Gate-All-Around（GAA）技術，相較傳統 FinFET 工藝更先進。這種技術通過四面環繞晶體管結構，提升芯片性能并降低功耗，適合高性能芯片需求。
三星此前已率先實現 3 納米 GAA 量產，但受限于低良率，未能扭轉代工業務的虧損局面。據悉，2 納米工藝的良率已從年初的 20-30% 提升至 40% 以上，遠超 3 納米時期的表現。
業界認為，若 Exynos 2600 按計劃搭載于 2026 年一季度發布的 Galaxy S26，將為三星代工業務注入強心劑，助力吸引外部客戶。
然而，三星與行業龍頭臺積電的差距依然明顯。臺積電的 2 納米初期良率已達 60%，而量產通常需良率穩定在 70-80%。三星需在下半年進一步優化工藝，以縮小差距。
根據 TrendForce 數據，2024 年第四季度，臺積電市場份額達 67.1%，三星僅為 8.1%，首次跌至個位數。
面對挑戰，韓真晚提出“技術提升”和“客戶拓展”兩大目標，推動代工業務轉型。盡管市場曾傳出三星可能退出代工的猜測，但公司明確表示將持續投資，力求憑借技術整合能力成為行業標桿。
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