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SK 海力士1b nm工藝16Gb LPDDR5X內存,去年十月已量產,速度能效雙提升

來源: 責編: 時間:2025-03-25 10:08:29 127觀看
導讀SK 海力士近日在其業務報告中宣布了一項重要的技術進展。據悉,該公司已經成功開發出基于第5代10納米級(1b nm)技術的16Gb LPDDR5X內存,這一成就標志著SK海力士在內存技術領域的又一次重大突破。該16Gb LPDDR5X內存的開發

SK 海力士近日在其業務報告中宣布了一項重要的技術進展。據悉,該公司已經成功開發出基于第5代10納米級(1b nm)技術的16Gb LPDDR5X內存,這一成就標志著SK海力士在內存技術領域的又一次重大突破。hiE28資訊網——每日最新資訊28at.com

該16Gb LPDDR5X內存的開發工作早在去年4月就已經完成,并在同年10月正式投入量產。這一內存的運行速率高達10.7Gbps(即10667 MT/s),與前一代的9.6Gbps LPDDR5T相比,速度提升了約10%。不僅如此,在能效方面,這款新產品也實現了15%的顯著提升。hiE28資訊網——每日最新資訊28at.com

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SK 海力士此次推出的LPDDR5X內存,不僅速度更快、能效更高,而且其應用前景也極為廣闊。該公司計劃以SOCAMM和LPCAMM的模組形態,將這款內存推向服務器和PC市場。這一舉措旨在滿足日益增長的AI計算對高性能DRAM的迫切需求。hiE28資訊網——每日最新資訊28at.com

隨著AI技術的不斷發展和普及,高性能內存的需求也在持續增長。SK 海力士此次推出的LPDDR5X內存,無疑將為服務器和PC市場注入一股新的活力,推動相關產業的進一步發展。同時,這也再次證明了SK海力士在內存技術領域的領先地位和創新能力。hiE28資訊網——每日最新資訊28at.com

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