11 月 4 日消息,TechInsights 在當地時間 10 月 24 日的分析中表示,每臺 ASML 0.33 NA EUV 光刻機的功耗就已經達到了 1170 kW,而 0.55NA (High NA) 光刻機的功耗預計將進一步增長至 1400 kW(IT酷哥注:大致與 1000 臺滿載運行的電火鍋相當)。
根據該機構統計,目前有 31 家晶圓廠采用 EUV 光刻,到 2030 年將增長至 59 家,而 EUV 光刻設備的數量增幅則將超過 100%。
總體來看 2030 年全球僅 EUV 光刻機就會消耗 6100 GWh 的電力,這與盧森堡、柬埔寨兩國 2020 年的全國用電量不相上下。而半導體晶圓廠中EUV 光刻機僅占到總用電量的 11% 左右,其它工藝設備和 HVAC 暖通空調系統也會創造龐大的碳足跡。
分析機構表示,半導體行業正處于十字路口。一方面,EUV 光刻技術對于推動創新和滿足對先進芯片日益增長的需求至關重要;另一方面,EUV 光刻技術對能源的影響巨大。
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