5月iOS設(shè)備性能榜：M1 M2依舊是榜單前五
和上個月一樣，沒有新品發(fā)布的iOS設(shè)備性能榜的上榜設(shè)備并沒有什么更替，僅僅只有跑分變化而產(chǎn)生的排名變動，剛剛開始的蘋果WWDC2023，推出的產(chǎn)品也依舊是新款Mac Pro、新款Mac Stu
Intel官方宣布，3nm級別的新工藝Intel 3已經(jīng)在美國俄勒岡州、愛爾蘭的兩座晶圓廠內(nèi)投入大規(guī)模量產(chǎn)，用于最近發(fā)布的至強6能效核版本Sierra Forest，以及即將發(fā)布的至強6性能核版本Granite Ridge。
Intel 3工藝相當于酷睿Ultra上使用的Intel 4工藝的升級加強版，但只會用在需要頂級性能的數(shù)據(jù)中心至強產(chǎn)品線，也就是至強6這一代，同時開放對外代工。
酷睿產(chǎn)品線不會用它，Intel 4之后直接跳到全新的Intel 20A，就是下半年要發(fā)布的高性能Arrow Lake，而低功耗的Lunar Lake第一次全部交給臺積電代工，核心計算模塊使用臺積電N3B 3nm，平臺控制模塊使用臺積電N6 6nm。
Intel之前曾公開表示，Intel 3相比于Intel 4邏輯縮微縮小了約10％(可以理解為晶體管尺寸)，每瓦性能(也就是能效)則提升了17％。
Intel 3的主要變化有：
－ EUV極紫外光刻的運用更加嫻熟，在更多生產(chǎn)工序中使用EUV。
－ 引入更高密度的設(shè)計庫，提升晶體管驅(qū)動電流，并通過減少通孔電阻，優(yōu)化互連技術(shù)堆棧。
－ 產(chǎn)量提升更快。
未來，Intel還將推出Intel 3的多個演化版本，滿足客戶的多樣化需求。
－ Intel 3-T：引入采用硅通孔技術(shù)，針對3D堆疊進行優(yōu)化；
－ Intel 3-E：擴展更多功能，比如射頻、電壓調(diào)整等；
－ Intel 3-PT：增加硅通孔技術(shù)的同時，實現(xiàn)至少5%的性能提升。
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