快科技6月26日消息,據媒體報道,存儲芯片產業界近日傳來消息,通用型DRAM內存芯片可能面臨供應短缺的局面。
隨著業界對高帶寬存儲(HBM)這類DRAM的大力投資,通用型DRAM的產能利用率相對較低,三星和SK海力士的產能利用率僅在80%到90%之間,與NAND閃存的全速生產形成鮮明對比。
伴隨著企業級固態硬盤(eSSD)的需求因人工智能的普及而激增,導致三星、SK海力士等主要制造商在第二季度滿負荷運行其NAND生產線。
鎧俠也在市場條件改善后結束了減產,NAND產能利用率恢復至100%。
與HBM DRAM相比,通用型DRAM指的是用于手機、PC的內存芯片,這一供應短缺的信號可能預示著DRAM內存芯片的價格上漲。
自2024年初以來,通用型DRAM的產能僅提升了大約10%,而智能手機、PC和服務器市場的增長率預計僅為2%到3%。
全球云計算和科技公司在AI基礎設施上的投資削減,也未能顯著推動DRAM需求的復蘇。
盡管業界對通用型DRAM需求反彈持謹慎樂觀態度,但這一可能性很大程度上取決于終端設備AI能力的普及程度。
PC制造商和智能手機廠商,如三星和蘋果,正在積極探索AI技術在各自產品中的應用,以期帶動市場需求。
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