3 月 19 日消息,集邦咨詢昨日發(fā)布報告,預(yù)估到 2024 年年底在 DRAM 產(chǎn)業(yè)規(guī)劃中,生產(chǎn) HBM TSV 的產(chǎn)能約為 250K / m,占總 DRAM 產(chǎn)能(約 1800K / m)約 14%,產(chǎn)能同比增長 260%。
集邦咨詢預(yù)估 2023 年 HBM 產(chǎn)值在 DRAM 整體產(chǎn)業(yè)中的占比約 8.4%,到 2024 年底將擴大至 20.1%。
集邦咨詢表示 HBM 和 DDR5 在生產(chǎn)方面差異主要體現(xiàn)在 Die Size 上,在相同制程和相同容量(例如 24Gb)情況下,HBM 的 Die 尺寸比 DDR5 大 35~45%,但良率要比 DDR5 低約 20~30%、生產(chǎn)周期(包含 TSV)較 DDR5 多 1.5~2 個月不等。
HBM 生產(chǎn)周期較 DDR5 更長,從投片到產(chǎn)出與封裝完成需要兩個季度以上。因此,急欲取得充足供貨的買家需要更早鎖定訂單量。
據(jù) TrendForce 集邦咨詢了解,大部分針對 2024 年度的訂單都已經(jīng)遞交給供應(yīng)商,除非有驗證無法通過的情況,否則目前來看這些訂單量均無法取消(non-cancellable)。
集邦咨詢觀察,以 HBM 產(chǎn)能來看,三星、SK 海力士(SK hynix)至今年底的 HBM 產(chǎn)能規(guī)劃最積極,三星 HBM 總產(chǎn)能至年底將達約 130K(含 TSV);SK 海力士約 120K,但產(chǎn)能會依據(jù)驗證進度與客戶訂單持續(xù)而有變化。附上截圖如下:
另以現(xiàn)階段主流產(chǎn)品 HBM3 產(chǎn)品市占率來看,目前 SK 海力士于 HBM3 市場比重逾 9 成,而三星將隨著后續(xù)數(shù)個季度 AMD MI300 逐季放量持續(xù)緊追。
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