快科技2月4日消息,據媒體報道,SK海力士表示,生成式AI市場預計將以每年35%的速度增長,而SK海力士有望在2026年大規模生產下一代HBM4。
據了解,HBM類產品前后經過了HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代)、HBM3(第四代)、HBM3E(第五代)的開發,其中HBM3E是HBM3的擴展(Extended)版本,而HBM4將是第六代產品。
HBM4堆棧將改變自2015年以來1024位接口的設計,采用2048位接口,而位寬翻倍也是是HBM內存技術推出后大的變化。
目前單個HBM3E堆棧的數據傳輸速率為9.6GT/s,理論峰值帶寬為1.2TB/s,而由六個堆棧組成的內存子系統的帶寬則高達7.2TB/s。
出于可靠性和功耗方面的考慮,一般速度不會達到高的理論帶寬,像H200的峰值帶寬為4.8TB/s。
此外,HBM4在堆棧的層數上也有所變化,除了首批的12層垂直堆疊,預計2027年存儲器廠商還會帶來16層垂直堆疊。
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