7月安卓手機好評榜：三星S23Ultra好評率第一
性能榜和性價比榜之后，我們來看最后的安卓手機好評榜，數據來源安兔兔評測，收集時間2023年7月1日至7月31日，僅限國內市場。第一名：三星Galaxy S23 Ultra好評率：95.71%在即將迎來新
談到電腦、手機等硬件的升級，近幾年我們都會用“擠牙膏”來形容新一代產品的性能表現。
確實在一年一更新的節奏下，通常產品的性能提升維持在10%～20%之間，鮮有就突破性進展。但每次技術上的躍遷，必標志著我們的世界又進入了一個嶄新時代。
隨著今年AI在個人用戶中的爆發式增長，不僅服務端出現了前所未有超強算力的AI GPU加速卡，而且在終端上，電腦的CPU也實現了技術上的全面躍遷。
CPU早已經不只是CPU
提到CPU，我們的慣性思維，會認為他就是我們電腦的運算核心，我們會非常注重它的性能表現。但實際上，從十年前開始，我們電腦里的那個“黑疙瘩”，早已不單純地只具有CPU的功能。
早在2011年，英特爾第二代酷睿處理器（代號Sandy Bridge）就已經將GPU及相關顯示輸出接口電路與CPU芯片集成在一個Die上。
此外，視頻編解碼器、信號處理器等各種專用加速單元也被集成入CPU，形成“系統級芯片”，這大幅提升了CPU的處理效率，并減少了對外圍芯片的依賴。
不過隨著芯片制造的工藝制程向著越來越精細的尺寸迭代升級，在物理特性上越來越逼近現有材料的性能極限，技術實現越來越困難，芯片制造成本急劇增加。為了能夠集成更多電路，同時又能有效控制良率和生產成本，就出現了Chiplet技術。
Chiplet技術是將一個大芯片拆分為多個小芯片(Chiplet)，再通過先進封裝集成到一起。相比之下，SoC技術是在一塊晶圓上制造整個系統。而Chiplet可利用不同廠商的制造技術,讓各芯片獨立優化，再組裝，完美結合性能與成本。被業界視為繼SoC之后，新一代系統級芯片解決方案。
雖然Intel新的酷睿Ultra處理器不是第一款采用Chiplet設計的產品，但這次升級，標志著PC處理器正式進入了一個新的時代。
酷睿Ultra四芯合一
Intel新Meteor Lake架構酷睿Ultra處理器主要集成了四顆不同制程工藝的小芯片，包括Compute Tile、Graphics Tile、SoC Tile和I/O Tile。
其中Compute Tile部分基于EUV技術的Intel 4制程工藝制造，而Graphics Tile、SoC Tile和I/O Tile則全部由積電代工，采用臺積電5nm和6nm制程工藝生產，后通過英特爾Foveros 3D封裝技術將他們連接到一起。
相比歷代的單一制程單一晶圓制造，Intel酷睿Ultra不僅在核心架構上實現了異構整合，而且首次采用了多源晶圓制造的方式。可以說是英特爾在工藝技術和芯片設計上的雙重突破。
作為全球大的半導體公司，Intel一直堅持自主可控的芯片工藝技術。早期的摩爾定律推動其處理器性能穩步增長，垂直一體化的封閉生態也成為其支配PC產業的基石。
但是，在芯片制造進10納米后，Intel工藝技術開始明顯落后競爭對手。光刻機物理極限、介電層難題等障礙大幅拖累其迭代速度。
而TSMC等專注晶圓制造的專業代工廠在7nm/5nm節點上不斷突破。這迫使Intel開始推動策略性轉型，提出了“四年五個制程節點”計劃。即通過在四年內推進Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A和Intel 18A五個制程節點，于2025年重獲制程領先性。
在該計劃的順利推動下，酷睿Ultra處理器中Compute Tile部分使用了Intel 4制程工藝。同時全新的小芯片設計，在多個制程工藝優勢的協同整合下，為Intel重回制程領先爭取到寶貴的時間。而chiplet模式也預示著半導體產業將呈現跨廠商、跨國界的高度協作與共生格局。
Intel歷代處理器使用的工藝制程和關鍵技術：
1971年4004使用10微米PMOS工藝
1978年8086使用3微米HMOS工藝
1985年80386使用1.5微米HMOS工藝，首次引入32位
1989年80486使用1微米工藝，集成晶體管數突破100萬
1993年Pentium使用0.8微米BiCMOS工藝
1997年Pentium II使用0.35微米CMOS工藝
2000年Pentium III使用0.18微米Coppermine工藝
2006年Core 2使用65納米工藝，高K金屬柵極
2011年第2代酷睿，32納米工藝，CPU集成GPU
2012年第3代酷睿，22納米工藝，三柵級FinFET技術
2017年第8代酷睿，14納米++工藝，Tick工藝節點出現了較大的延遲
2019年第10代酷睿，10納米、14納米混用
2021年第12代酷睿，Intel 7（10納米）工藝，CPU采用性能混合架構，大小核設計
2024年酷睿Ultra，Intel 4（7納米）工藝，分離式模塊化設計，首次采用多源晶圓制造
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