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近30億元!ASML明年生產10臺高NA EUV光刻機:Intel獨吞6臺

來源: 責編: 時間:2023-12-22 09:35:49 316觀看
導讀 快科技12月21日消息,集邦咨詢的報告顯示,ASML阿斯麥將在2024年生產多10臺新一代高NA(數值孔徑) EUV極紫外光刻機,其中Intel就定了多達6臺。 同時,三星星也在積極角逐新光刻機,臺積電感覺壓力巨大。 NA數值孔徑

快科技12月21日消息,集邦咨詢的報告顯示,ASML阿斯麥將在2024年生產多10臺新一代高NA(數值孔徑) EUV極紫外光刻機,其中Intel就定了多達6臺。PRb28資訊網——每日最新資訊28at.com

同時,三星星也在積極角逐新光刻機,臺積電感覺壓力巨大。PRb28資訊網——每日最新資訊28at.com

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NA數值孔徑是光刻機光學系統的重要指標,直接決定了光刻的實際分辨率,以及高能達到的工藝節點。PRb28資訊網——每日最新資訊28at.com

金屬間距縮小到30nm以下之后,也就是對應的工藝節點超越5nm,低NA光刻機的分辨率就不夠了,只能使用EUV雙重曝光和/或曝光成形(pattern shaping)技術來輔助,不但會大大增加成本,還會降低良品率。PRb28資訊網——每日最新資訊28at.com

因此,更高的NA成為必需。PRb28資訊網——每日最新資訊28at.com

ASML 9月份曾宣布,將在今年底發貨第一臺高NA EUV光刻機,型號“Twinscan EXE:5000”,從0.33做到0.55,光刻分辨率縮小到8nm,可制造2nm工藝乃至更先進的芯片。PRb28資訊網——每日最新資訊28at.com

ASML沒有公布第一臺高NA EUV光刻機的客戶,但業界普遍認為正是Intel。PRb28資訊網——每日最新資訊28at.com

Intel初就計劃利用新光刻機投產Intel 18A工藝,但因為等不及,只能改用已有的0.33 NA NXE:3600D/3800E疊加雙重曝光。PRb28資訊網——每日最新資訊28at.com

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ASML明年量產的高NA EUV光刻機,將是改進型的Twinscan EXE:5200,支持大規模量產。PRb28資訊網——每日最新資訊28at.com

未來,ASML將把年產量進一步提高到20臺左右。PRb28資訊網——每日最新資訊28at.com

這種新光刻機的成本和價格沒有公開,猜測至少3億美元,甚至可能達到或超過4億美元,也就是逼近人民幣30億元。PRb28資訊網——每日最新資訊28at.com

目前的低NA EUV光刻機需要2億美元左右。PRb28資訊網——每日最新資訊28at.com

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