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快科技12月21日消息，集邦咨詢的報告顯示，ASML阿斯麥將在2024年生產多10臺新一代高NA(數值孔徑) EUV極紫外光刻機，其中Intel就定了多達6臺。
同時，三星星也在積極角逐新光刻機，臺積電感覺壓力巨大。
NA數值孔徑是光刻機光學系統(tǒng)的重要指標，直接決定了光刻的實際分辨率，以及高能達到的工藝節(jié)點。
金屬間距縮小到30nm以下之后，也就是對應的工藝節(jié)點超越5nm，低NA光刻機的分辨率就不夠了，只能使用EUV雙重曝光和/或曝光成形(pattern shaping)技術來輔助，不但會大大增加成本，還會降低良品率。
因此，更高的NA成為必需。
ASML 9月份曾宣布，將在今年底發(fā)貨第一臺高NA EUV光刻機，型號“Twinscan EXE:5000”，從0.33做到0.55，光刻分辨率縮小到8nm，可制造2nm工藝乃至更先進的芯片。
ASML沒有公布第一臺高NA EUV光刻機的客戶，但業(yè)界普遍認為正是Intel。
Intel初就計劃利用新光刻機投產Intel 18A工藝，但因為等不及，只能改用已有的0.33 NA NXE:3600D/3800E疊加雙重曝光。
ASML明年量產的高NA EUV光刻機，將是改進型的Twinscan EXE:5200，支持大規(guī)模量產。
未來，ASML將把年產量進一步提高到20臺左右。
這種新光刻機的成本和價格沒有公開，猜測至少3億美元，甚至可能達到或超過4億美元，也就是逼近人民幣30億元。
目前的低NA EUV光刻機需要2億美元左右。
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