集微網(wǎng)消息,2023年12月初,三星電子社長李在镕隨韓國總統(tǒng)尹錫悅前往荷蘭,與光刻機制造商ASML達成重要的商業(yè)協(xié)議。三星和ASML同意共同投資1萬億韓元(約合7.62億美元)在韓國建設(shè)一座研究工廠,以開發(fā)使用EUV光刻機的尖端半導(dǎo)體制造技術(shù)。三星電子總裁兼CEO、設(shè)備解決方案部負(fù)責(zé)人Kyung Kye-hyun博士強調(diào),公司的最新協(xié)議將幫助其獲得下一代高數(shù)值孔徑(High-NA)EUV光刻機。
目前ASML是全球唯一的EUV光刻機制造商,該產(chǎn)品用于制造7nm及以下制程芯片,然而這類設(shè)備年產(chǎn)量僅為40~50臺,供不應(yīng)求。李在镕此次訪韓,目的也是當(dāng)面協(xié)商請求ASML優(yōu)先供貨。
Kyung表示,三星已經(jīng)獲得了High-NA EUV光刻機的優(yōu)先供貨權(quán),相信可以利用此次機會使得三星在DRAM存儲芯片和邏輯芯片生產(chǎn)中優(yōu)化High-NA技術(shù)的使用。在即將于韓國京畿道東灘建立的芯片研究設(shè)施中,來自ASML和三星的工程師將合作,改進EUV芯片制造技術(shù)。三星與ASML的交易重點不是單純將2nm芯片制造設(shè)備引入韓國,而是與這家公司建立合作伙伴關(guān)系,以便更好地利用下一代設(shè)備。
消息稱ASML計劃在2024年推出10臺2nm芯片制造設(shè)備,而英特爾已經(jīng)預(yù)訂了其中的6臺。最新型號的High-NA EUV光刻機可以將聚光能力從0.33提高至0.55,能夠獲得更精細(xì)的曝光圖案,用于2nm制程節(jié)點。未來幾年,ASML希望將這種最新設(shè)備的產(chǎn)能提高至每年20臺。
在成功獲得ASML最新光刻機之后,三星計劃于2025年底開始生產(chǎn)2nm芯片,然而有第三方分析稱這一計劃可能出現(xiàn)延遲,這取決于市場狀況和生產(chǎn)良率等。
高通幾年前將驍龍888、驍龍8 Gen1芯片獨家委托給三星代工,使用5nm、4nm制程工藝,但由于三星工藝問題,這代芯片出現(xiàn)了嚴(yán)重的發(fā)熱問題,致使高通不得不緊急轉(zhuǎn)而尋求臺積電進行代工。近日有消息稱高通第五代驍龍8有望重新回到三星進行代工制造,使用2nm工藝。不過,臺積電、三星、英特爾都對2nm制程野心勃勃,積極向客戶展示最新技術(shù),試圖爭奪訂單。
本文鏈接:http://www.www897cc.com/showinfo-24-48712-0.html與ASML達成歷史性協(xié)議 三星將在2nm芯片制造取得優(yōu)勢
聲明:本網(wǎng)頁內(nèi)容旨在傳播知識,若有侵權(quán)等問題請及時與本網(wǎng)聯(lián)系,我們將在第一時間刪除處理。郵件:2376512515@qq.com