集微網(wǎng)消息，2023年12月初，三星電子社長李在镕隨韓國總統(tǒng)尹錫悅前往荷蘭，與光刻機制造商ASML達成重要的商業(yè)協(xié)議。三星和ASML同意共同投資1萬億韓元（約合7.62億美元）在韓國建設(shè)一座研究工廠，以開發(fā)使用EUV光刻機的尖端半導(dǎo)體制造技術(shù)。三星電子總裁兼CEO、設(shè)備解決方案部負(fù)責(zé)人Kyung Kye-hyun博士強調(diào)，公司的最新協(xié)議將幫助其獲得下一代高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV光刻機。Dvv28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

目前ASML是全球唯一的EUV光刻機制造商，該產(chǎn)品用于制造7nm及以下制程芯片，然而這類設(shè)備年產(chǎn)量僅為40~50臺，供不應(yīng)求。李在镕此次訪韓，目的也是當(dāng)面協(xié)商請求ASML優(yōu)先供貨。Dvv28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

Kyung表示，三星已經(jīng)獲得了High-NA EUV光刻機的優(yōu)先供貨權(quán)，相信可以利用此次機會使得三星在DRAM存儲芯片和邏輯芯片生產(chǎn)中優(yōu)化High-NA技術(shù)的使用。在即將于韓國京畿道東灘建立的芯片研究設(shè)施中，來自ASML和三星的工程師將合作，改進EUV芯片制造技術(shù)。三星與ASML的交易重點不是單純將2nm芯片制造設(shè)備引入韓國，而是與這家公司建立合作伙伴關(guān)系，以便更好地利用下一代設(shè)備。Dvv28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

消息稱ASML計劃在2024年推出10臺2nm芯片制造設(shè)備，而英特爾已經(jīng)預(yù)訂了其中的6臺。最新型號的High-NA EUV光刻機可以將聚光能力從0.33提高至0.55，能夠獲得更精細(xì)的曝光圖案，用于2nm制程節(jié)點。未來幾年，ASML希望將這種最新設(shè)備的產(chǎn)能提高至每年20臺。Dvv28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

在成功獲得ASML最新光刻機之后，三星計劃于2025年底開始生產(chǎn)2nm芯片，然而有第三方分析稱這一計劃可能出現(xiàn)延遲，這取決于市場狀況和生產(chǎn)良率等。Dvv28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

高通幾年前將驍龍888、驍龍8 Gen1芯片獨家委托給三星代工，使用5nm、4nm制程工藝，但由于三星工藝問題，這代芯片出現(xiàn)了嚴(yán)重的發(fā)熱問題，致使高通不得不緊急轉(zhuǎn)而尋求臺積電進行代工。近日有消息稱高通第五代驍龍8有望重新回到三星進行代工制造，使用2nm工藝。不過，臺積電、三星、英特爾都對2nm制程野心勃勃，積極向客戶展示最新技術(shù)，試圖爭奪訂單。Dvv28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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