Redmi Pad評測：紅米充滿野心的一次嘗試
從Note系列到K系列，從藍牙耳機到筆記本電腦，紅米不知不覺之間也已經形成了自己頗有競爭力的產品體系，在中端和次旗艦市場上甚至要比小米新機的表現來得更好，正所謂“大丈夫生居
12 月 15 日消息，DRAM 芯片制造商長鑫存儲（CXMT）近日出席在舊金山舉辦的第 69 屆 IEEE 國際電子器件會議（IEDM），發表了一篇論文，展示了環繞式閘極結構（Gate-All-Around，GAA）技術，適用于尖端 3nm 芯片。
注：專利中提及 GAA 技術適用于包括 5nm、7nm、10nm 和 14nm 在內的 3nm 以下芯片，但這并不代表著長鑫存儲當前具備制造 3nm 的能力。
根據《南華早報》報道，長鑫存儲雖然沒有發布相關的樣品，但本次論文的發布，引發了行業分析師對該公司下一代內存的廣泛關注，表明長鑫在面對美國封鎖下，不斷加強自主芯片開發能力。
華邦電子的儲存芯片專家 Frederick Chen 表示，長鑫存儲的進展令人印象深刻，因為代表這家公司達不斷追趕，縮小在技術方面的差距。
長鑫存儲發表聲明稱，該論文描述了與 DRAM 結構和 4F2 設計可行性相關的基礎研究，與長鑫存儲當前的生產工藝無關，暗示該設計紙張還遠未成為一種適銷對路的產品。
長鑫存儲兩周前發布，已生產出大陸首款低功耗雙倍資料速率 5（LPDDR5）DRAM 芯片，縮小了與韓國三星和 SK 海力士等領先廠商的差距。
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