快科技9月2日消息,HBM高帶寬內存在AI時代愈發重要,價值不輸高性能GPU本身,也是當前內存技術的制高點,目前生產主要集中在韓國SK海力士、三星及美國的美光公司手中。
國內的存儲芯片企業一方面在擴增產能,一方面也在加快從DDR4到DDR5的技術升級,面對HBM內存當然也不會錯過機會,韓國ZDNet Korea報道稱長江存儲YMTC正在聯合長鑫存儲CXMT合作研發HBM3內存。
兩家分家是國內大的閃存、內存芯片廠商,報道稱快今年底雙方就可能訂購針對HBM的研發設備。
此前長鑫存儲研發過HBM2內存,但HBM3及之后的內存對芯片堆棧的要求更高,而長江存儲在閃存研發中積累了豐厚的經驗,其Xtacking技術可以將芯片電路混合鍵合起來。
該技術已經問世5年,長江存儲生產的3D閃存已經大量應用,已經量產了270層堆棧的3D閃存,也是全球主要的混合鍵合專利持有者,2017到2024年間披露的專利數超過119項,比三星的85項還多,目前還在持續增加中。
目前這兩家公司還沒有回應這一傳聞,但不論是合作研發還是自己研發,國產的HBM3e內存快今年獲得認證,2年內開始生產,未來這一市場不會再被美國韓國公司壟斷了。

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