快科技9月3日消息,毫無疑問,中國一直在努力推進國產化HBM內存,畢竟這對于AI計算是至關重要的。
根據DigiTimes的新報道,長江存儲正積極準備進入DRAM內存領域,并尋求與長鑫存儲合作,共同攻克HBM內存技術難關。
報道稱,雙方堪稱天作之合,因為長鑫存儲有扎實的DRAM內存技術基礎,長江存儲則有領先的Xtacing晶棧工藝,理論上也可以用于內存的鍵合與封裝,尤其是隨著HBM的不斷迭代,混合封裝是提升帶寬、改進散熱的關鍵所在。
有關報告顯示,長鑫存儲在HBM2上取得了重大突破,已經給客戶送樣,預計明年年中可小規模量產。
同時,長鑫存儲出還在積極推進HBM3,預計快2026-2027年即可搞定,甚至能同步做到HBM3E。
還有報道稱,中國廠商正在HBM技術上聯合起來,比如長江存儲、武漢新芯開發封裝技術,通富微電子則在組裝環節貢獻力量。
相比SK海力士、三星、美光三大原廠,中國HBM技術雖然差距依舊很大,但追趕的速度非常快。

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