快科技2月14日消息，AMD已經(jīng)在積極推進(jìn)下一代Zen6架構(gòu)產(chǎn)品，包括消費(fèi)級(jí)和數(shù)據(jù)中心，其中CCD部分的工藝有兩種說法，一是臺(tái)積電N3 3nm級(jí)別，另一種是臺(tái)積電N2 2nm級(jí)別。2aO28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

目前，Zen5家族的銳龍9000系列的CCD部分為臺(tái)積電4nm，IOD部分則是6nm，后者完全延續(xù)了銳龍7000系列的設(shè)計(jì)。2aO28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

EPYC 9005系列的IOD部分則是4nm(Zen5)和3nm(Zen5c)，IOD部分和銳龍一樣都是6nm，二者在很大程度上也是相同的。2aO28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

那么，下一代Zen6會(huì)搭配什么樣的IOD呢？2aO28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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之前的說法是升級(jí)到臺(tái)積電4nm，確切地說是N4P，但新消息顯示，Zen6 IOD制造切換到三星了，但還是4nm級(jí)別，確切地說是4LPP，或者叫SF4。2aO28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

三星工藝雖然在性能、能效上始終差一點(diǎn)，但是IOD并不需要太先進(jìn)的工藝，功耗也不高。2aO28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

而三星4LPP 2022年就量產(chǎn)了，已經(jīng)相當(dāng)成熟，這也意味著成本會(huì)相當(dāng)?shù)停宜褪莻€(gè)低功耗工藝節(jié)點(diǎn)，正好適合做IOD。2aO28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

資料顯示，三星L4PP的晶體管密度為每平方毫米1.37億個(gè)，基本和臺(tái)積電N5相當(dāng)，只比臺(tái)積電N4P低大約5％，同時(shí)高于Intel 4 11％之多，本身素質(zhì)還是不錯(cuò)的。2aO28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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