1 月 31 日消息,據外媒Tom's shardware報道,長江存儲目前已開始出貨第五代 3D TLCNAND 閃存,共有 294 層,以及 232 個有源層。
外媒認為長江存儲在其閃存中使用了晶棧 4.0(注:Xtacking 4.0)架構,利用混合鍵合技術將閃存陣列與 CMOS 邏輯和接口連接起來,以最大限度地提高存儲密度和 I/O 性能。
具體規格方面,長江存儲第五代 3D TLC NAND 閃存的位密度據稱超過了 20Gb / mm2,略低于鎧俠和西部數據 BiCS8 QLC NAND 閃存的 22.9Gb / mm2。
外媒稱,目前長江存儲已成功將其閃存密度提高到行業相同的水平,該公司現已成為全球 NAND 市場的有力競爭者。
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