近日,有消息透露,谷歌計劃用于明年旗艦產(chǎn)品的Tensor G5芯片基于臺積電3nm制程工藝,目前已經(jīng)進入流片階段。
據(jù)悉,Tensor G5代號Laguna Beach(拉古納海灘),將通過臺積電InFo_PoP晶圓級扇出封裝技術(shù)實現(xiàn)SoC和DRAM的堆疊,支持16GB以上內(nèi)存。
此外,Tensor G5的全自研,將意味著谷歌可完成對Pixel設(shè)備從芯片到設(shè)備整機再到操作系統(tǒng)乃至應(yīng)用程序的全方位掌控,有助于實現(xiàn)更深度的軟硬件整合。
對于谷歌來說,Tensor G5如果能夠順利流片,將意味著它的首款全自研手機SoC距離成功近了一大步。
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