日前，有媒體報道稱，三星3nm制程工藝將在2024年下半年趨于成熟。BBM28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

同時，三星將開始大規(guī)模生產(chǎn)基于3nm制程工藝的Exynos處理器Exynos 2500，由三星Galaxy S25系列首發(fā)搭載。BBM28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

據(jù)悉，在3nm制程上，三星率先應(yīng)用了全環(huán)繞柵極工藝（GAA，全稱Gate-All-AroundT），打破了FinFET技術(shù)的性能限制。BBM28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

依靠這一工藝，三星實現(xiàn)了通過降低工作電壓水平來提高能耗比，同時通過增加驅(qū)動電流增強芯片性能。BBM28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

與5nm制程相比，三星3nm GAA工藝可以使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面積減少16%。BBM28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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