日前,有媒體報道稱,三星3nm制程工藝將在2024年下半年趨于成熟。
同時,三星將開始大規模生產基于3nm制程工藝的Exynos處理器Exynos 2500,由三星Galaxy S25系列首發搭載。
據悉,在3nm制程上,三星率先應用了全環繞柵極工藝(GAA,全稱Gate-All-AroundT),打破了FinFET技術的性能限制。
依靠這一工藝,三星實現了通過降低工作電壓水平來提高能耗比,同時通過增加驅動電流增強芯片性能。
與5nm制程相比,三星3nm GAA工藝可以使功耗降低45%,性能提升23%,芯片面積減少16%。
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