近日,蘋果首席運營官Jeff Williams低調訪問臺積電,且沒有通過公開渠道對外公布訪問的具體內容。
有消息稱,Williams在此次訪問中與臺積電進行了一場“秘密會議”,包圓了臺積電初期所有的2nm工藝制程產能。
如果該消息屬實,那么蘋果預計將在2025年的iPhone 17系列上,首次采用2nm制程工藝。
據悉,臺積電將在2nm制程中首次使用GAAFET技術。
區別于3nm和5nm制程所采用的鰭式場效晶體管(FinFET)架構,GAAFET架構是以環繞閘極(GAA)制程為基礎的架構,可以解決FinFETch因為制程微縮而產生的電流控制漏電等物理極限問題。
與FinFET晶體管技術相比,GAAFET晶體管技術結構更復雜,閾值電壓更低,這樣性能更強,耗電量更低,功耗表現更佳。
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