三星從未放棄自家旗艦芯片的打造。
據外媒消息透露,三星已經與Synopsys公司合作,將練手打造下一代的3nm旗艦工藝制程芯片,而Synopsys公司的出現就是為了最大限度的提升芯片良率。
三星帶來的這首款3nm工藝芯片將會采用Gate All Around(GAA)工藝,三星GAA設計被稱為MCBFET,即多信道橋式FET。
與傳統的3nm工藝制程芯片相比,三星自家的3nm GAA設計的產品功率損耗可降低50%,性能也將得到改善,與之前的4nm FinFET工藝相比,能效和密度有著20%至30%的提升。
按照產品線更新情況,這顆3nm芯片應該就是傳聞中的Exynos 2500了,將會在三星Galaxy S25系列上首發搭載,對標的競品是驍龍8Gen4和聯發科天璣9400。
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